2016年存储技术文章精选TOP20

尺寸的binning方案。

TOP12：FinFET存储器的设计挑战以及测试和修复方法

同任何IP模块一样，存储器必须接受测试。但与很多别的IP模块不同，存储器测试不是简单的通过/失败检测。存储器通常都设计了能够用来应对制程缺陷的冗余行列，从而使片上系统（SoC）良率提高到90%或更高。相应地，由于知道缺陷是可以修复的，冗余性允许存储器设计者将制程节点推向极限。测试过程已经成为设计-制造过程越来越重要的补充。

TOP13：Flash存储器闪存工作原理及具体步骤

什么是闪存？了解闪存最好的方式就是从它的"出生"它的"组成"均研究的透彻底底的。

闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力，就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后，水位就一直保持在那里，直到你再次倒入或倒出，所以闪存具有记忆能力。

TOP14：有趣的线性反馈移位寄存器（LFSR）

最近一直在研究信道编码，发现在信道编码里面有一个电路比较重要也比较有趣，那就是线性反馈移位寄存器 LFSR ，相信大家对 LFSR 电路也不陌生了，在通信领域lfsr有着很广泛的应用，比如说M序列，扰码，信道编码，密码学这方面都有很广泛的应用，LFRS的结构一般如下图：

TOP15：更深存储器应用如何实现？IDT技术白皮书为你解惑

传统上讲，LRDIMM（低负载双列直插存储器模块） 和 RDIMM（双列直插存储器模块） 为数据中心企业服务器提供补充解决方案——LRDIMM 针对需要更深存储器的应用，而 RDIMM 则针对需要更高数据带宽的应用。然而，随着 8Gb DRAM 的推出，LRDIMM 已提供出色的备选解决方案，能同时满足更深存储器和更高数据带宽需求。

TOP16：用SSD只是提升了读写速度？这才是真相！

也许是SSD（固态硬盘）对比起机械硬盘，速度提升实在猛烈，把电脑开机至进入系统从按分钟计时全面转变为以秒读数的时代。其实SSD的好处不仅在于速度上的变化，如果仅以为几百元的投资就只换来了这些，那就太年轻了！

TOP17：120GB的SSD的优势及使用感受

近些年来，SSD固态硬盘的速度强项与防震优势早已是路人皆知，新技术层出，新产品不断，整个产业可谓是一派欣欣向荣。然而，大容量SSD的价格依旧居高不下，在台式机阵营的普及速度一直只能用"不愠不火"来形容。另一方面，平板电脑和智能手机的发展加速了NAND闪存的产能提升，可同时也消耗了大量的产能，所以不会出现明显的供大于求现象，也许这也是现阶段SSD价格企稳的根本原因之一吧。

TOP18：从芯片存储发展看编程器的技术革新

每年都有新手机发布，大家都在追逐更高的手机性能，除了主CPU频率高以外，还需要关注GPU，同时RAM也要越大越好，存储芯片对手机速度的影响，大家又知道多少呢？

TOP19：DRAM与NAND的区别及工作原理

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 （关机就会丢失数据）

TOP20：从Nand特性谈其烧录关键点

为什么烧录Nand Flash经常失败？为什么烧录成功了，一部分Nand芯片贴板之后系统却运行不起来？…，等等，问了那么多为什么，那我反问一个问题：你了解Nand Flash的特性及其烧录关键点吗？