vcc vdd vee vss的区别详解

一、解释

DCpower一般是指带实际电压的源，其他的都是标号（在有些仿真软件中默认的把标号和源相连的）VDD：电源电压（单极器件）;电源电压（4000系列数字电路）;漏极电压（场效应管）VCC：电源电压（双极器件）;电源电压（74系列数字电路）;声控载波（VoiceControlledCarrier）VSS：地或电源负极VEE：负电压供电;场效应管的源极（S）VPP：编程/擦除电压。

VCC：C=circuit表示电路的意思，即接入电路的电压;

VDD：D=device表示器件的意思，即器件内部的工作电压;

VSS：S=series表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压。

二、另外一种解释：

Vcc和Vdd是器件的电源端。

Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOSorNMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。荐义选用芯片时一定要看清电气参数。

Vcc来源于集电极电源电压，CollectorVoltage，一般用于双极型晶体管，PNP管时为负电源电压，有时也标成-Vcc，NPN管时为正电压。

Vdd来源于漏极电源电压，DrainVoltage，用于MOS晶体管电路，一般指正电源。因为很少单独用PMOS晶体管，所以在CMOS电路中Vdd经常接在PMOS管的源极上。

Vss源极电源电压，在CMOS电路中指负电源，在单电源时指零伏或接地。

Vee发射极电源电压，EmitterVoltage，一般用于ECL电路的负电源电压。

Vbb基极电源电压，用于双极晶体管的共基电路。

三、说明

1、一般来说VCC=模拟电源，VDD=数字电源，VSS=数字地，VEE=负电源。

2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚，说明这种器件自身带有电压转换功能。

3、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压，VDD是芯片的工作电压（通常Vcc》Vdd），VSS是接地点。

4、在场效应管（或COMS器件）中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS指的是元件引脚，而不表示供电电压。

详解： 有些IC 同时有VCC和VDD， 这种器件带有电压转换功能。 在"场效应"即COMS元件中，VDD乃CMOS的漏极引脚，VSS乃CMOS的源极引脚，这是元件引脚符号，它没有"VCC"的名称，你的问题包含3个符号，VCC / VDD /VSS， 这显然是电路符号除了正确进行接地设计、安装，还要正确进行各种不同信号的接地处理。

控制系统中，大致有以下几种地线：

（1）数字地：也叫逻辑地，是各种开关量（数字量）信号的零电位。

（2）模拟地：是各种模拟量信号的零电位。

（3）信号地：通常为传感器的地。

（4）交流地：交流供电电源的地线，这种地通常是产生噪声的地。

（5）直流地：直流供电电源的地。

（6）屏蔽地：也叫机壳地，为防止静电感应和磁场感应而设。

以上这些地线处理是系统设计、安装、调试中的一个重要问题。

下面就接地问题提出一些看法：

（1）控制系统宜采用一点接地。一般情况下，高频电路应就近多点接地，低频电路应一点接地。在低频电路中，布线和元件间的电感并不是什么大问题，然而接地形成的环路的干扰影响很大，因此，常以一点作为接地点;但一点接地不适用于高频，因为高频时，地线上具有电感因而增加了地线阻抗，同时各地线之间又产生电感耦合。一般来说，频率在1MHz以下，可用一点接地;高于10MHz时，采用多点接地;在1～10MHz之间可用一点接地，也可用多点接地。

（2）交流地与信号地不能共用。由于在一段电源地线的两点间会有数mV甚至几V电压，对低电平信号电路来说，这是一个非常重要的干扰，因此必须加以隔离和防止。

（3）浮地与接地的比较。全机浮空即系统各个部分与大地浮置起来，这种方法简单，但整个系统与大地绝缘电阻不能小于50MΩ。这种方法具有一定的抗干扰能力，但一旦绝缘下降就会带来干扰。还有一种方法，就是将机壳接地，其余部分浮空。这种方法抗干扰能力强，安全可靠，但实现起来比较复杂。

（4）模拟地。模拟地的接法十分重要。为了提高抗共模干扰能力，对于模拟信号可采用屏蔽浮技术。对于具体模拟量信号的接地处理要严格按照操作手册上的要求设计。

（5）屏蔽地。在控制系统中为了减少信号中电容耦合噪声、准确检测和控制，对信号采用屏蔽措施是十分必要的。根据屏蔽目的不同，屏蔽地的接法也不一样。电场屏蔽解决分布电容问题，一般接大地;电磁场屏蔽主要避免雷达、电台等高频电磁场辐射干扰。利用低阻金属材料高导流而制成，可接大地。磁场屏蔽用以防磁铁、电机、变压器、线圈等磁感应，其屏蔽方