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vcc vdd vee vss的区别详解

时间:11-13 来源:网络 点击:

一、解释

DCpower一般是指带实际电压的源,其他的都是标号(在有些仿真软件中默认的把标号和源相连的)VDD:电源电压(单极器件);电源电压(4000系列数字电路);漏极电压(场效应管)VCC:电源电压(双极器件);电源电压(74系列数字电路);声控载波(VoiceControlledCarrier)VSS:地或电源负极VEE:负电压供电;场效应管的源极(S)VPP:编程/擦除电压。

VCC:C=circuit表示电路的意思,即接入电路的电压;

VDD:D=device表示器件的意思,即器件内部的工作电压;

VSS:S=series表示公共连接的意思,通常指电路公共接地端电压。

二、另外一种解释:

Vcc和Vdd是器件的电源端。

Vcc是双极器件的正,Vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C,和PMOSorNMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss,含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。荐义选用芯片时一定要看清电气参数。

Vcc来源于集电极电源电压,CollectorVoltage,一般用于双极型晶体管,PNP管时为负电源电压,有时也标成-Vcc,NPN管时为正电压。

Vdd来源于漏极电源电压,DrainVoltage,用于MOS晶体管电路,一般指正电源。因为很少单独用PMOS晶体管,所以在CMOS电路中Vdd经常接在PMOS管的源极上。

Vss源极电源电压,在CMOS电路中指负电源,在单电源时指零伏或接地。

Vee发射极电源电压,EmitterVoltage,一般用于ECL电路的负电源电压。

Vbb基极电源电压,用于双极晶体管的共基电路。

三、说明

1、一般来说VCC=模拟电源,VDD=数字电源,VSS=数字地,VEE=负电源。

2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚,说明这种器件自身带有电压转换功能。

3、对于数字电路来说,VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压(通常Vcc》Vdd),VSS是接地点。

4、在场效应管(或COMS器件)中,VDD为漏极,VSS为源极,VDD和VSS指的是元件引脚,而不表示供电电压。

详解: 有些IC 同时有VCC和VDD, 这种器件带有电压转换功能。 在"场效应"即COMS元件中,VDD乃CMOS的漏极引脚,VSS乃CMOS的源极引脚,这是元件引脚符号,它没有"VCC"的名称,你的问题包含3个符号,VCC / VDD /VSS, 这显然是电路符号除了正确进行接地设计、安装,还要正确进行各种不同信号的接地处理。

控制系统中,大致有以下几种地线:

(1)数字地:也叫逻辑地,是各种开关量(数字量)信号的零电位。

(2)模拟地:是各种模拟量信号的零电位。

(3)信号地:通常为传感器的地。

(4)交流地:交流供电电源的地线,这种地通常是产生噪声的地。

(5)直流地:直流供电电源的地。

(6)屏蔽地:也叫机壳地,为防止静电感应和磁场感应而设。

以上这些地线处理是系统设计、安装、调试中的一个重要问题。

下面就接地问题提出一些看法:

(1)控制系统宜采用一点接地。一般情况下,高频电路应就近多点接地,低频电路应一点接地。在低频电路中,布线和元件间的电感并不是什么大问题,然而接地形成的环路的干扰影响很大,因此,常以一点作为接地点;但一点接地不适用于高频,因为高频时,地线上具有电感因而增加了地线阻抗,同时各地线之间又产生电感耦合。一般来说,频率在1MHz以下,可用一点接地;高于10MHz时,采用多点接地;在1~10MHz之间可用一点接地,也可用多点接地。

(2)交流地与信号地不能共用。由于在一段电源地线的两点间会有数mV甚至几V电压,对低电平信号电路来说,这是一个非常重要的干扰,因此必须加以隔离和防止。

(3)浮地与接地的比较。全机浮空即系统各个部分与大地浮置起来,这种方法简单,但整个系统与大地绝缘电阻不能小于50MΩ。这种方法具有一定的抗干扰能力,但一旦绝缘下降就会带来干扰。还有一种方法,就是将机壳接地,其余部分浮空。这种方法抗干扰能力强,安全可靠,但实现起来比较复杂。

(4)模拟地。模拟地的接法十分重要。为了提高抗共模干扰能力,对于模拟信号可采用屏蔽浮技术。对于具体模拟量信号的接地处理要严格按照操作手册上的要求设计。

(5)屏蔽地。在控制系统中为了减少信号中电容耦合噪声、准确检测和控制,对信号采用屏蔽措施是十分必要的。根据屏蔽目的不同,屏蔽地的接法也不一样。电场屏蔽解决分布电容问题,一般接大地;电磁场屏蔽主要避免雷达、电台等高频电磁场辐射干扰。利用低阻金属材料高导流而制成,可接大地。磁场屏蔽用以防磁铁、电机、变压器、线圈等磁感应,其屏蔽方

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