中国发现手机真正发烫的诱因，开启核电池“准入券”

这个技术是对传统的"二脉冲声光波谱"（two-pulse photoacousTIc spectroscopy）的扩展，在传统的方法中，科学家们通过精确调控，对材料发生两束定时精准的激光。第一束激光在材料中产生声子脉冲，第二束则用来测量声子脉冲的散射或衰减。

　　廖浡霖引入了第三束激光，这样就能精确地增加硅材料中的电子浓度而不引入任何缺陷。在发射了第三束激光后，测量结果显示，声子脉冲衰减时间明显缩短，这表明了电子浓度的增加了声子的散射并抑制了它的活动。

　　实验结果显示，第三束激光的引入会造成声子脉冲衰减时间的缩短，激光的强度越大（电子的浓度越高），声子脉冲的衰减时间就越短。

　　这个结果让廖浡霖团队非常兴奋，因为这很好地吻合了他们之前的计算结果。

　　"我们现在可以确定效应确实非常明显，而且我们在实验中证实了它，"廖浡霖说道，"这是首个可以直接探测电子-声子相互作用对声子的影响的实验。"

　　有趣的是，每立方厘米1019个电子的浓度，比现有的一些晶体管还要低，换句话说，最新发现的这种现象，是部分现有的微电子发热发烫的元凶之一。

　　"根据我们的研究，随着电路的尺寸越来越小，这个效应将会越来越重要，"廖浡霖说道，"我们必须认真考虑这个效应，并且研究如何利用或避免它带来的影响。"