单晶多晶组件CTM差异性,你知道吗？

在光学增益，在光照射在电池、焊带或者背板上时，由于组件玻璃对光线的反射，会有光线再次照射在电池上，增加组件的对光线的吸收利用。

　　多晶量子效率本身偏低，所以经过封装以后，多晶组件的光学增益要多于单晶组件，这样多晶组件在380nm-450nm及900nm-1200nm波段的封装损失也会少于单晶组件。

　　以上光学因素决定了单晶组件CTM损失要多于多晶组件。但是没有更好的解决单晶组件光学损失的方法。

　　3.2、B-O复合损失

　　由表1的实验结果，不难发现单晶电池LID较多晶电池严重，这主要是因为单晶原料和多晶原料的生长环境不同所导致。常规单晶生长使用石英坩埚，石英坩埚在高温时与硅溶液反应，生成SiO2，这样使硅棒中氧的含量有一定幅度提升，从而增加了硼-氧对的数量，硼氧对在经过光照处理时会形成少子寿命低的BO5，影响电池片的输出功率，最终增加了单晶硅电池的LID光衰值。

　　多晶采用铸锭的方式生长，主要工艺步骤为加热，融化，长晶，退火，冷却步骤。多晶铸锭时坩埚底部热量通过冷却装置把热量带走。坩埚缓慢下降，从而是硅锭离开加热区，多晶铸锭用的坩埚为石英陶瓷坩埚，在铸锭过程中引入的氧碳杂质较少，这样在光照条件下产生的硼氧复合就会减少，因此多晶硅电池的LID光衰值相对偏低。这样导致了多晶CTM损失要低于单晶。要改善单晶CTM可以想办法减少单晶产品的LID光衰情况。

　　减少单晶原料的衰减可以考虑一下方法，A.模仿多晶铸锭工艺生产单晶。B.采用磁控拉晶工艺或着区熔单晶工艺，减少氧含量的引入，提高单晶硅棒的品质。C.由掺硼改为掺镓，避免硼氧复合的出现。

　　4、结论

　　本文简单描述了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼氧复合损失可以想办法改善，但对于光学损失的差异，针对单晶没有更好的解决方法。