如何降低MOSFET损耗并提升EMI性能

往存在着很大的电压尖峰，一般情况下，MOSFET的电压设计余量是足够承受的，为了提高整体的电源效率，一些电源厂家是没有增加吸收电路（吸收电路如图3标注①RCD吸收电路和②RC吸收电路）来吸收尖峰电压的。但是，不注意这些吸收电路的设计往往也是导致EMI设计不合格的主要原因。以金升阳URF2405P-6WR3的吸收电路（采用如图3中的②RC吸收电路）为例：

　　1） 驱动电阻Rg为27Ω，无RC吸收电路，辐射骚扰度测试结果如下：

　　图8 辐射骚扰水平极化方向测试结果                    图9 辐射骚扰垂直极化方向测试结果

　　2）驱动电阻为27Ω；吸收电路为电阻R和C 5.1Ω 470pF，辐射骚扰度测试结果如下：

　　图10 辐射骚扰水平极化方向测试结果                图11 辐射骚扰垂直极化方向测试结果

　　从两种不同的吸收电路方案测试结果来看，不采用吸收电路的方案，是不能通过EN55022辐射骚扰度的CLASS A等级，而采用吸收电路，则可以解决辐射骚扰度实验不通过的问题，通过不同的RC组合方式可进一步降低辐射骚扰。

　　四、总结

　　MOSFET的功耗优化工作实际上是一个系统工程，部分优化方案甚至会影响EMI的特性变化。上述案例中，金升阳R3系列产品将节能环保的理念深入到电源的开发过程中，很好地平衡了电源整体效率与EMI特性，从而进一步优化了电源参数。将电源参数进一步优化，更能兼容客户系统，并发挥真正的电子系统"心脏"作用，源源不断的输送能量。