SiC Mosfet管特性及其专用驱动电源

信号与主功率回路的隔离，需要采取隔离措施，推荐采用常见的光耦隔离方案。采用的光耦必须具有高共模抑制比（30KV/us）和比隔离电源大的隔离耐压并且具有极小的延迟时间来适应SiC Mosfet管的高频率工作特性。

　　图2.SiC驱动电路推荐

　　五、 总结

　　通过对SiC Mosfet管与Si IGBT管相关电气参数进行比较，我们发现SiC Mosfet将成为高压高频场合下的应用趋势。根据对SiC Mosfet管的开关特性的研究，金升阳推荐了能简化其隔离设计的专用电源QA01C，同时也推荐了基于SiC Mosfet的驱动电路。

　　参考文献：

　　【1】 钱照明等。 中国电气工程大典［M］。 北京：中国电力出版社，2009.6

　　【2】 Keith Billings著。 张占松等译。 开关电源手册［M］。北京：人民邮电出版社，2006.12

　　【3】 童诗白 华成英著。 模拟电子技术基础［M］。北京：高等教育出版社，1999