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驱动器UCC27201上电时刻HO引脚误脉冲的分析及解决

时间:08-17 来源:TI 点击:
    在隔离 DC/DC 电源中经常会使用到带浮地功能的双通道驱动器 UCC27201。实际应用发现,某些场景中,其HO 引脚会在上电时刻产生误脉冲。该误脉冲导致系统有开机异常的风险。本文通过实际仿真和电路原理分析,详细介绍了误脉冲产生的机理,随后提供了两个针对该误脉冲的解决方案,并给予了详细解释。

  1、隔离电源系统设计

  某隔离电源系统完成 DC/DC 的转换,采用全桥拓扑,输出电压为 12V。其中,全桥的原边侧驱动器就采用了UCC27201,共计两颗。

  1.1 隔离电源系统简述

  该隔离电源系统完成宽范围输入电压(36V~72V)到 12V 的转换,输出功率 350W。系统采用带同步整流功能的硬开关全桥拓扑(HSFB)。图 1 所示的是该系统的方框图,包含有主控芯片 LM5035,置于原边侧的驱动器UCC27201,置于副边侧的驱动器 UCC27324 和隔离器等器件。

  

  1.2 UCC27201 的应用

  UCC27201 是带有浮地功能的 MOSFET 驱动器,具有高端输出和低端输出两个通道,可以应用于 BUCK,半桥和全桥等拓扑。该芯片引脚的描述如下:

  ● VDD (Pin1) :供电引脚,范围是 8V~17V,典型值为 12V;

  ● VSS (Pin7) :芯片地引脚;

  ● HI, LI (Pin5, Pin6) :高端驱动输入和低端驱动输入;

  ● HO, LO (Pin3, Pin8) :高端驱动输出和低端驱动输出;

  ● HB, HS (pin2, pin4) :浮地供电和浮地引脚,用于高端驱动供电;

  如图 2,在本电源系统中,一颗 UCC27201 的两路输出驱动全桥同一侧桥臂的两个 MOSFET,主要连接网络标示如蓝色字体。另一颗 UCC27201 的两路输出则是驱动全桥的另一侧桥臂。

  

  采用上述应用电路的实际驱动信号见图 3,包括了软启动和正常运行等两个阶段。

  在软启动阶段,标示为 Q1 的 MOSFET 的驱动信号占空比远小于 50%,而 Q2 的驱动信号占空比则是超过了50%,与 Q1 的驱动信号占空比保持为互补关系。Q3 和 Q4 驱动信号的关系同上。

  在正常运行阶段,Q1~Q4 的驱动信号占空比全部都接近 50%。相互之间的关系如图 3 所示,即 Q1 和 Q2 保持互补,Q3 和 Q4 保持互补。

  

  2、UCC27201 HO 引脚的误脉冲及根因分析

  实际应用中,由于不同的 UCC27201 的供电电压设计有差异,当其 Cboot 电容充电过快时,HO 引脚会出现误脉冲。该误脉冲的根因是 Cboot 过快的上电电压耦合到了 HO 引脚,同时过快的上电速率导致芯片内部对 HO 管脚下拉的 MOSFET 不能及时导通,最终造成了 HO 引脚输出误脉冲。

  2.1 HO 引脚的误脉冲

  实际测试上述电源系统时发现,开机时 UCC27201 的 HO 引脚有误脉冲,如图 4 (CH1 为 HO;CH4 为 HB 与HS 的差分电压,亦即 Cboot 电容两端的电压;CH2 为 LO;CH3 可忽略)。该误脉冲幅度最大可超过 7V,与 LO交叠后会造成全桥高端 MOSFET 和低端 MOSFET 的共通,进而导致系统开机存在风险。

  

  2.2 HO 引脚误脉冲的根因分析

  图 5 所示的是 UCC27201 内部与 HO 相关的电路。在 HB 与 HS 之间电压正常建立后,逻辑电路会依据 HI 电平的高或低而打开 Qa 或 Qb,从而实现 HO 高低电平的输出。Qc 是当 HB 与 HS 之间电压还处于欠压阶段时,用以导通以拉低 HO 引脚,确保在该阶段 HO 无输出。

  

  当 HB 与 HS 间电压还处于欠压阶段时,内部电路会产生高电平驱动信号以导通 Qc。但是,该高电平驱动信号的产生存在一定的延时;同时,Qc 设计用来被脉冲信号触发,而非电平信号触发。上述两个因素就造成,当 HB与 HS 间电压上升过快时 Qc 将不能及时导通。此时,如果 HO 被 HB 与 HS 间电压耦合出高电平后(其中一个耦合途径是通过 Qa 和 Qb 的结电容),因 Qc 还未导通,该耦合出的高电平将得以输出,最终形成了 HO 的误脉冲。

  如果 HB 与 HS 间电压上升速率变缓,或者 HB 与 HS 间电压先得以预建立,Qc 的驱动信号(图 6 中的蓝色线和红色线)的高电平脉冲将会变宽,这就能保证 Qc 导通,误脉冲就会被消除。

  下文就围绕 HB 与 HS 间电压的上升斜率和预建立这两个方向来讨论,以解决 HO 的误脉冲问题。

  

  3、解决措施之增大 Cboot 电容

  在相同充电速率条件下,增大 Cboot 电容可以将 HB 与 HS 之间的电压上升斜率变缓,以得到足够宽的高电平信号并使 Qc 导通。

  3.1 Cboot 充电过程分析

如图 7 所示,UCC27201 内部有二极管(D1)连接 Pin1 (VDD)和 Pin2(HB)。在 Pin1 的外部连接有供电网络(电压为 12V),电容 Cd(1uF)和串联电阻 Ri(10ohm);在 Pin2 则

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