高性能宽带低噪声放大器设计

三级级联后，仿真结果如图6所示。

根据指标要求，整个电路的噪声小于1．6 dB，输入输出驻波比小于1．7，增益在35～37．1 dB之间。设计满足指标要求。

2 装配和测试结果
2．1 装配和调试
各单片加工完成之后，采用共晶工艺进行焊接，并利用导电胶将芯片粘接在底部基片上。共晶工艺具有机械强度高、热阻小、稳定性好、可靠性高等一系列的优点，是目前国际上比较先进的工艺。导电胶粘接技术工艺性好、固化容易、固化物致密、粘接力强。由于其耐热
性有限，因此导电胶的固化温度和固化时间的长短对粘接强度影响较大。一般采用合适的温度和时间来固化达到较理想的效果。

设计完成后，对带内平坦度进行调试。通过在电路中敏感部位改变容性和感性的大小来调节平坦度，使其满足指标，如图7所示。

2．2 测试结果
噪声系数测试结果见表2。

增益和驻波比测试结果如图8所示。

1dB压缩点测试，结果见表3。

测试结果表明，实验值与理论设计值吻合得较好，表明这种设计方法可取。

3 结论
C波段宽带低噪声放大器设计在国内外已有一些研究，但是该满足宽带高性能指标要求的工程设计案例还不多。该设计的宽带低噪声放大器的噪声系数、增益、增益平坦度、输入输出驻波比以及1 dB压缩点的功率均达到和超过指标要求，并且该放大器在整个C波段表现性能优良。因此，在雷达和电子对抗等工程领域可以得到广泛应用。另外，在C波段宽带低噪声放大器的小型化和集成化设计上还需进一步探索。