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锁相环的电源管理设计

时间:11-13 来源:ADI 点击:

  锁相环(PLL)是现代通信系统的基本构建模块PLLs通常用在无线电接收机或发射机中,主要提供"本振"(LO)功能;也可用于时钟信号分配和降噪,而且越来越多地用作高采样速率模数或数模转换的时钟源,由于每一代PLL的噪声性能都在改善,因此电源噪声的影响变得越来越明显,某些情况下甚至可限制噪声性能。

  本文讨论图1所示的基本PLL方案,并考察每个构建模块的电源管理要求。

  

  图1.显示各种电源管理要求的基本锁相环

  PLL中,反馈控制环路驱动电压控制振荡器(VCO),使振荡器频率(或相位)精确跟踪所施加基准频率的倍数。许多优秀的参考文献 (例如Best的锁相环1),解释了PLL的数学分析;ADI的ADIsimPLL™等仿真工具则对了解环路传递函数和计算很有帮助。下面让我们依次考察一下PLL构建模块。

  VCO和VCO推压

  电压控制振荡器将来自鉴相器的误差电压转换成输出频率。器件"增益"定义为KVCO,通常以MHz/V表示。电压控制可变电容二极管(变容二极管) 常用于调节VCO内的频率。VCO的增益通常足以提供充分的频率覆盖范围,但仍不足以降低相位噪声,因为任何变容二极管噪声都会被放大KVCO倍,进而增加输出相位噪声。

  多频段集成VCO的出现,例如用于频率合成器ADF4350的集成VCO,可避免在KVCO与频率覆盖范围间进行取舍,使PLL设计人员可以使用包含数个中等增益VCO的IC以及智能频段切换程序,根据已编程的输出频率选择适当的频段。这种频段分割提供了宽广的总体范围和较低噪声。

  除了需要从输入电压变化转换至输出频率变化(KVCO)外,电源波动也会给输出频率变化带来干扰成分。VCO对电源波动的灵敏度定义为VCO 推压(Kpushing),通常是所需KVCO.的一小部分。例如,Kpushing通常是KVCO的5%至20%。因此,对于高增益VCO,推压效应增大,VCO电源的噪声贡献就更加举足轻重。

  VCO推压的测量方法如下:向VTUNE引脚施加直流调谐电压,改变电源电压并测量频率变化。推压系数是频率变化与电压变化之比,如表1所示,使用的是ADF4350 PLL。

  

  参考文献2中提到了另一种方法:将低频方波直流耦合至电源内,同时观察VCO频谱任一侧上的频移键控 (FSK)调制峰值(图2)。峰值间频率偏差除以方波幅度,便得出VCO推压系数。该测量方法比静态直流测试更精确,因为消除了与直流输入电压变化相关的任何热效应。图2显示ADF4350 VCO输出在3.3 GHz、对标称3.3 V电源施加10 kHz、0.6 V p-p方波时的频谱分析仪曲线图。对于1.62 MHz/0.6 V或2.7 MHz/V的推压系数,最终偏差为3326.51 MHz – 3324.89 MHz = 1.62 MHz。该结果可与表1中的静态测量 2.3 MHz/V比较。

  

  图2.ADF4350 VCO通过10kHz、0.6v p-p方波响应


  电源调制的频谱分析仪曲线图

  在PLL系统中,较高的VCO推压意味着VCO电源噪声的增加倍数更大。为尽可能降低对VCO相位噪声的影响,需要低噪声电源。

  参考文献3和参考文献4提供了不同低压差调节器(LDO)如何影响PLL相位噪声的示例。例如,文献中对ADP3334和ADP150 LDO为ADF4350供电时的性能进行了比较。ADP3334调节器的集成均方根噪声为27 μV(40多年来,从10 Hz至100 kHz)。该结果可与ADF4350评估板上使用的LDO ADP150的9 μV比较。图3中可以看出已测量PLL相位噪声频谱密度的差异。测量使用4.4 GHz VCO频率进行,其中VCO推压为最大值(表1),因此属于最差情况结果。ADP150调节器噪声足够低,因此对 VCO噪声的贡献可以忽略不计,使用两节(假定"无噪声")AA电池重复测量可确认这一点。

  

  图3.使用ADP3334和ADP150LDO对(AA电池)供电时ADF4350在4.4GHz下的相位噪声比较

  图3强调了低噪声电源对于ADF4350的重要性,但对电源或 LDO的噪声该如何要求呢?

  与VCO噪声类似,LDO的相位噪声贡献可以看成加性成分LDO(t), 如图4所示。再次使用VCO超额相位表达式得到:

  

  或者在频域中为:

  

  其中vLDO(f)是LDO的电压噪声频谱密度。

  1 Hz带宽内的单边带电源频谱密度SΦ(f)由下式得出:

  

  以dB表示时,用于计算电源噪声引起的相位噪声贡献的公式如下:

  

   (1)

  其中 L(LDO)是失调为f时,调节器对VCO相位噪声(以dBc/Hz表示)的噪声贡献; f; Kpushing是VCO推压系数,以Hz/V表示;vLDO(f)是给定频率偏移下的噪声频谱密度,以V/√Hz表示。

  

  图4.小信号加性vco电源噪声模型

  在自由模式VCO中,总噪声为 LLDO值加VCO噪声。以dB表示则为:

  

例如,试考虑推压系数为10 MHz/V、在100 kHz偏移下测得相

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