电流源设计小Tips(一):如何选择合适的运放
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如何解决振荡问题:
相信还没有人动手,最好已经搭好了上面提到的电路。然而却发现根本不能用,不是上来就振,就是电流一大就开始振。
一头雾水,反馈看似是负反馈,而且用NPN就基本不会振,很奇怪,也很气愤,因为没有办法,也没有思路。
这是负反馈的固有问题,凡负反馈都有机会振荡,只要相位出问题。
然而,还有一句话,凡负反馈的振荡问题都可解决。先吃一颗定心丸。
解决振荡问题就是剪裁频率响应曲线的过程。因此必须首先得到开环增益Aopen和反馈系数F的频率响应。
反馈系数F就是1,在波特图上是0dB线。
开环增益Aopen麻烦一点,根据39楼电路,首先画出小信号等效电路。
开环分为三部分:
1. 运放
2. MOSFET输入
3. MOSFET输出
图17
这个电路的传递函数由于Cgs不接地并且与压控电流源gmVgs耦合而不太好算,在学校带毕设的时候曾经让一个学生推过一次,就是不知道二极管符号几个三角的学生。他很严谨而且敬业,不仅推出来还检查了三遍,交给学校培养真是浪费了。
传递函数算出来是一个一寸高两寸宽的拉普拉斯变换,实在没有时间再推一遍,不过如果忽略某些不太重要的量,由于Rsample很小,而与Cgs接地时差不太多。
图18
运放之后的Ro是运放的输出电阻,即运放输出级的限流电阻,大致在200 Ohm左右。可以由以下方法大致推出:
非规到轨运放临界饱和输出电压为Vcc-4V,最大输出电流20mA左右,限流电阻约200 Ohm左右。
Cgs比较复杂,按datasheet上的说明,Ciss=760pF@Vgs=0/VDS=25V,但VDS减小和Vgs增大会使Ciss增大到约1000pF。
图19
同时图中省略了跨导电容Crss,Crss可通过密勒定理等效在输入和输出端的小电容,很小而忽略。
gm是个问题,虽然可以查到直流gm,大致为7@Id=8A/VDS=50V,但实际用在Id=100mA/VDS《20V,根据datasheet中的输出特性曲线可以看到在饱和区gm随Id减小而减小,与VDS关系不大,在可变电阻区,gm随Id和VDS减小而明显减小。gm在Id很小时大致在1-3左右。暂取2。
图20
gm也有转折频率,最终产生fT,但这个参数很难得到,因为大多数功率MOSFET都是用在开关状态,而且gmDC随偏置变化很大,因此datasheet里通常不给出,但由导通时间,Ciss,Coss和Crss可大致推出gm的fT很高,除以gmDC即为转折频率,很高,大致在10MHz左右。已远远超出OP07的可操作范围,因此忽略,认为gm是不随频率变化的水平直线。
也可看出为什么之前不用OP37的原因,因为gm的转折频率恰好在OP37的操作频率范围内,从而造成频率补偿复杂度增加。
分析Aopen之一:运放的主极点
运放是多零极点系统,但一般都具有2个主极点,低频主极点,靠近DC,高频主极点,靠近GBW。图为OP07的开环增益频响曲线。
图21
2个主极点中,高频主极点通常不受重视,因为大多数运放的高频主极点都在0dB线以下,即单位增益稳定。反馈环路中只有1只运放时很少遇到增益小于1的情况。因此很多运放datasheet中高频主极点都不标出。
考虑运放与10倍理想增益级级联(有时是必须的),这个高频主极点就会浮出水面,如果闭环增益为1,便会产生振荡。
图22
图23
分析Aopen之二:MOSFET和Rsample
如前所述,MOSFET分为输入和输出两部分,通过合理简化,输入的Cgs接地。
应该感谢输入输出功率隔离的设计方法,不知是谁先造出了电子管,否则这部分分析会相当复杂。
1. 输入部分
输入部分由Ro=200 Ohm和Cgs=1000pF构成低通滤波器,并产生一个极点po。低频增益为0dB,产生转折频率的极点po位于约800kHz。正好落在OP07 0dB以上的频带范围内,因此推测与振荡有关。
图24
2. 输出部分
MOSFET的电流Id=gmVgs流经Rsample产生电压gmVgsRsample,因此增益为gmRsample。由于gm的转折频率很高,Rsample在低频下为理想电阻,因此gmRsample的频率响应为平行于0dB线的直线。
电流源输出电流很小时,gm接近于0,因此gmRsample位于0dB线以下很低的位置。输出电流增大造成gm增大,gmRsample不断上移,直至最大电流时,gm=2s,Rsample=3 Ohm,gmRsample=6,移至0dB线以上。
图25
两部分级联后,增益相乘,波特图上增益相加,如下图:
图26
此时如果gmRsample》1,极点po在0dB线之上,反之则在0dB线之下。
一旦po高于0dB线,而1/F=1(0dB)且运放自身Aopen在此频率附近有-20dB/DEC的斜率,则po之后斜率将达到-40dB/DEC,可能产生振荡。
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