三星48层3D V-NAND闪存技术揭秘

尺寸也更校以往我们预期它会包含某种32L V-NAND，但这应该不会发生了，因为我们发现他们改用16nm NAND快闪存储器作为替代方案。

　　图9：三星32GB UFS 2.0

　　图10：三星16nm平面NAND快闪存储器阵列

　　我 们将持续追逐V-NAND在智慧型手机中的踪影。由于三星曾经在2014年首次推出32L V-NAND，也在2016年首次上市48L，预计三星将率先在手机中导入V-NAND。三星目前在韩国以及中国西安都已经有V-NAND晶圆厂了，我们 认为三星将更密切致力于V-NAND，平面NAND微缩也将很快地迈入尾声。

　　编译：Susan Hong

　　（参考原文：First Look at Samsung’s 48L 3D V-NAND Flash，by Kevin Gibb， Product Line Manager， TechInsights）