电流传感器在开关模式电源中应用方案

　　常见的控制方案，像电流模式控制和峰值电流限制，在没有传统交流电流传感器提供实时信息的条件下是不可能实现的。设计师通常使用变压器、运算放大器和无源分立元件来实现这些传感器，尽管市场上有许多单芯片解决方案。他们坚持使用分立电路设计方案有许多原因，包括成本和/或性能，同时也在期待有更好的单芯片交流电流传感器方案出现。不过迄今为止，他们看到的还只是在已有老技术上的少量改进。

　　什么因素最重要？

　　对于一个成本压力很大的电源系统来说，设计师的需求一览表中首先是成本，所以交流电流传感器的安装成本必须具有吸引力（安装成本指的是传感器自身成本再加上外围元器件成本，以及额外的制造成本，比如校准等）。第二项是通过将电流检测通道上的功率损耗降到最小来提高效率的低阻值有效串行电阻（ESR），这在负载点（POL）调节器这类大电流设备中尤其重要，因为每增加一个毫欧的ESR都会引起高达1%的效率下降。在成本和效率之外，还要求体积小，这对于安装到电路板上的电源模块来说是一个关键要求。其他方面的考虑还包括高精度（可以简化或省去系统内部校准）、足够高的隔离电压（在AC/DC转换器中这是一个重要考虑因素），还有就是用于高频系统应用的宽工作带宽。

　　传感器种类

　　可用的电流检测解决方案可以被分为两大类：即单芯片方案和分立电路方案，如表1所示。

　　电流传感放大器通过测量一个小值串联电阻上的电压产生一个代表电流的电压信号。很显然，该电阻将产生功耗，并且该功耗随着电流的增加而增加，而为了限制噪声，放大器带宽通常较窄。这些特性使得该技术最适于小电流直流系统和低频交流系统，而不适合那些高频和大电流开关模式设备。

　　霍尔效应和磁阻（MR）器件是通过检测有电流流过的电感器产生的磁场来工作的，因此产生的功耗要低得多。但这些器件的工作带宽较窄，体积大，成本高，而且输出信号小，噪声大，还有偏移和温度误差，这些都降低了测量的精度。

　　顾名思义，电流变压器（CT）的工作原理是将流经初级线圈的电流反映到次级，再在次级通过一个外部负载电阻转换成电压。CT已被广泛接受，因为它们需要的外围元件最少，工作稳定，提供固有的高隔离度，而且便宜。不过体积较大，功率损耗相对较高，有时还需要额外的电路进行磁芯复位。许多小型CT还是手工绕制的，因而存在机械完整性问题，例如抽头间隔一致性差。

　　低端FET和DCR检测电路都是检测电路中已经存在的电阻上的电压，因此实际上它们自身并不会带来什么损耗。在DCR检测方案中，输出滤波器上的RC电路使得这种组合电路看上去像是电阻。连接到这个"虚拟电阻"上的放大器测量电流的方式与前面所述的串联电阻/检测放大器方案是一样的。与DCR类似，低端FET检测方案也是检测电阻上的电压，不过是采用低端电阻RDS（ON）作为检测电阻。虽然这两种方法都需要较多的通用运算放大器和无源器件，但在目前最低成本和最低损耗的系统中仍有使用。这些方案不利的一面是，安装体积大，有时还需要额外的系统校准成本来解决高测量误差-有时误差高达±40%。

　　表1：相关交流电流传感器比较一览表。

　　面对这些含糊不清的技术分类，设计师必须严格地区分电流传感器的好坏，然后选择能够达到目标的最佳方案。尽管有足够多的交流电流检测解决方案涌现，但许多设计还不是最佳方案，需要进一步优化，至少目前为止是这样。

　　绝佳的新方案

　　图1所示的单向电流传感器是一个最佳的、低成本、高效率、体积小的交流电流传感器，并且还具有许多其他优点。

　　图1：Si85xx单向交流传感器方框图。

　　图1中，传感器由一个金属嵌片和封装在一个小型（4x4x1mm）QFN封装中的硅裸片组成。嵌片和片上精选线圈一起构成一个耦合电感器，因此流经嵌片的交流电流感应出的电压等于电流的一阶导数（即v=Lm di/dt）。然后片上的信号处理电路执行一个有限积分运算，产生一个与流经嵌片的电流成正比的实时信号。该信号再经过片上的温度补偿器和增益级电路进一步调整。最后的结果是一个满刻度为2V、噪声非常低的温补电流信号。

这种令人迷惑的简单架构却能提供许多传统电流检测技术无法提供的优点。例如，通过使用标准CMOS处理技术和半导体封装实现了极低的成本，这两种技术使得该架构的成本可能比CT的安装成本还有竞争力，而且还有更高可靠性和更小体积等附加优点。同时还实现了较低的损耗，这是因为嵌片在电流检测通道中仅仅增加了1.3mΩ的串联电阻和2nH的串联电感。还有一个附加的优点，就是通