无线充电应用的二次侧整流桥应用方案介绍

3的本体二极体反向偏置）。

　　这种配置的电路路径及输出波形结果与上述配置相同。然而，通过以MOSFET替代两颗二极体，整流桥的能效得到提升，二极体及MOSFET的功率损耗计算等式为：

　　表1比较了使用2A负载条件下叁种二次全桥整流器电路应用方案的功率损耗。第一种应用方案是标準4颗二极体配置，第二种应用方案是使用萧特基二极体的4颗二极体配置，第叁种应用方案包含2颗萧特基二极体和2颗MOSFET，这种方案有如安森美半导体的NMLU1210整合方案。

　　表1：三种整流桥应用方案的功率损耗比较

　　如表所示，第叁种应用方案的功率损耗最低。节省的功率损耗直接转化为二次侧电路整体能效的提升，使无线充电方案具有更高能效。全桥整流器也可以采用4颗MOSFET来实现。但这种应用方案牵涉的因素更多，必须审慎思考。

　　能效考虑因素对无线充电方案至关重要，因为无线充电方案采用的气隙变压器的能效相比传统有线充电方案低。因此，为了将无线充电的性能提升至最高，每个电路模组的能效都必须仔细考虑及加以应对。如文中的功率损耗计算结果所示，应用2颗二极体和2颗MOSFET的方案最能节省功率损耗。对于当今的电子产业而言，节能及提升能效处于消费者及製造商所关注问题的最前端。随着无线充电深入发展，业界对高能效及高性能方案的需求也越来越高。