一文看懂OLED生产技术

多，LG就曾以这种方案生产OLED电视，白光OLED +彩色滤光片也一度被认为是OLED进一步实现低成本的方案。只不过加上滤光片，透光率光色纯度都更成问题，所以亮度、对比度、色彩、节能表现理论上都不及RGB OLED。

AMOLED平板显示研发过程和技术难点

AMOLED技术的开发主要涉及到TFT背板和OLED器件两个方面。在技术路线的选择上，目前国际上尚未统一，有多种技术方案在开发中。

发光器件即OLED的性能决定了AMOLED显示屏的色彩表现力、功耗等品质，因此OLED器件技术的开发对产品竞争力的提高具有非常重要的意义。 OLED器件制备技术主要有两个关键点，一个是开发高迁移率的传输材料和高效率、长寿命发光材料，另一个是开发新型器件结构，提高器件性能。因此，开发新型有机材料、设计新型器件结构和改进真空蒸镀技术将是研究的重点。

目前，TFT背板中的沟道层半导体材料主要有非晶硅（a-Si）、微晶硅（μ-Si）、低温多晶硅（LTPS）、单晶硅、有机物和氧化物等。由于 OLED是电流驱动型器件，需要稳定的电流来控制发光特性。为了达到足够的亮度，AMOLED需要TFT的沟道材料具有较高的迁移率，以提供较高的电流密度，因此目前普遍应用于TFT-LCD中的非晶硅TFT由于迁移率较低很难满足要求。另外，与TFT-LCD所不同的是，AMOLED需要TFT长时间处于开启状态，非晶硅TFT的阈值电压漂移问题也使其很难应用在AMOLED中。从技术发展现状来看，较有希望的是LTPS TFT和氧化物TFT等技术，但也存在很多难点。

目前，应用在AMOLED中最成熟的TFT背板技术是低温多晶硅（LTPS）技术。在LTPS技术中，最重要的工艺难点即为多晶硅沟道层的制备。工艺流程中首先使用PECVD等方法在不含碱离子的玻璃基板上淀积一层非晶硅，而后采用激光或者非激光的方式使非晶硅薄膜吸收能量，原子重新排列以形成多晶硅结构，从而减少缺陷并得到较高的电子迁移率。

对LTPS结晶化技术而言，激光结晶化技术尤其是准分子激光退火（ELA）技术目前在小尺寸应用方面已经较为成熟，全球已经量产的AMOLED产品基本都使用了ELA技术。ELA技术的难点在于TFT的一致性问题，各像素间TFT特性的不同导致OLED的发光强度出现不均匀，进而导致面板成品率无法保障，因此提高ELA技术制备的TFT一致性一直是国内外各单位研发的重点。另外，ELA技术在大尺寸基板的量产方面也存在较大的问题。

另一方面，非激光结晶化技术在实现大尺寸基板量产并降低成本，以及在TFT均匀性方面具有很大优势。但非激光结晶化技术在现阶段也同样存在着技术难题。其中金属诱导晶化（MIC）技术因为金属污染导致的漏电流等问题，使得缺陷和寿命问题很难解决；固相结晶化（SPC）技术在大尺寸AMOLED的制备上具有较大的综合性优势，但其载流子迁移率与激光结晶化技术相比较低，而且在量产技术方面仍然需要进一步完善。

AMOLED制作工艺

LTPS-AMOLED的制作工艺囊括了显示面板行业的诸多尖端技术，其主要分为背板段，前板段以及模组段三道工艺。 背板段工艺通过成膜，曝光，蚀刻叠加不同图形不同材质的膜层以形成LTPS（低温多晶硅）驱动电路，其为发光器件提供点亮信号以及稳定的电源输入。其技术难点在于微米级的工艺精细度以及对于电性指标的极高均一度要求。

镀膜工艺是使用镀膜设备，用物理或化学的方式将所需材质沉积到玻璃基板上（2）；

曝光工艺是采用光学照射的方式，将光罩上的图案通过光阻转印到镀膜后的基板上（3、4、5）；

蚀刻工艺是使用化学或者物理的方式，将基板上未被光阻覆盖的图形下方的膜蚀刻掉，最后将覆盖膜上的光阻洗掉，留下具有所需图形的膜层（7、8）。

驱动背板工艺流程图

前板段工艺通过高精度金属掩膜板（FMM）将有机发光材料以及阴极等材料蒸镀在背板上，与驱动电路结合形成发光器件，再在无氧环境中进行封装以起到保护作用。蒸镀的对位精度与封装的气密性都是前板段工艺的挑战所在。

高精度金属掩膜板（FMM）：其主要采用具有极低热变形系数的材料制作，是定义像素精密度的关键。制作完成后的FMM由张网机将其精确地定位在金属框架上并送至蒸镀段（2）；

蒸镀机在超高真空下，将有机材料透过FMM蒸镀到LTPS基板限定区域上（3）；

蒸镀完成后将LTPS基板送至封装段，在真空环境下，用高效能阻绝水汽的玻璃胶将其与保护板进行贴合。玻璃胶的选用及其在制作工艺上的应用，将直接影响OLED的寿命（5、6）。

有机镀膜段工艺流程图

模组段工艺将封装完毕的面板切割成实际产品大小，之后再进行偏光片贴附、控制线路