OLED的下一代：Micro LED发展现状及技术瓶颈分析

ity）和Play Nitride皆在研讨会上展现自己的micro LED研发成果。

　　LeTI推出了iLED matrix，其蓝光EQE9.5%，亮度可达107Cd/m2；绿光EQE5.9%，亮度可达108Cd/m2，采用量子点实现全彩显示，Pitch只有10um，未来目标做到1um。Leti近程计划从smart lighting切入，中程2-3年进入HUD和HMD市场，抢搭VR/AR热，远程目标是10年内切入大尺寸display应用。

　　而台湾Play Nitride公布的同样以氮化镓为基础的Pixe LED TMdisplay技术，公司目前透过移转技术转移至面板，转移良率可达99%！

　　由此可见，Micro LED技术已经有很多企业在跟进，发展速度也在加快。但就苹果本身来看，该技术属苹果实验室阶段技术，且苹果本身也押宝了许多新兴产业，故未来是否导入量产仍有待观察。

发展的瓶颈

　　其实Micro LED的核心技术是纳米级LED的转运，而不是制作LED这个技术本身。由于晶格匹配的原因，LED微器件必须先在蓝宝石类的基板上通过分子束外延的生长出来。而做成显示器，必须要把LED发光微器件转移到玻璃基板上。由于制作LED微器件的蓝宝石基板尺寸基本上就是硅晶元的尺寸，而制作显示器则是尺寸大得多的玻璃基板，因此必然需要进行多次转运。

　　对于微器件的多次转运技术难度都是特别高，而用在追求高精度显示器的产品上难度就更大。通过此前苹果收购Luxvue后公布的获取专利名单也以看出，大多都是采用电学方式完成转运过程，所以说这才是Luxvue的关键核心技术

　　台湾錼创执行长李允立近日也表示："Micro LED成功关键有二：一是苹果、三星这些品牌厂的意愿；二是晶片搬动技术，一次搬运数百万颗超小LED晶片，有门槛要克服。"

　　其实，Micro LED还面临第三个问题，即全彩化、良率、发光波长一致性问题。单色Micro LED阵列通过倒装结构封装和驱动IC贴合就可以实现，但RGB阵列需要分次转贴红、蓝、绿三色的晶粒，需要嵌入几十万颗LED晶粒，对于LED晶粒光效、波长的一致性、良率要求更高，同时分bin的成本支出也是阻碍量产的技术瓶颈。

他们这样看

　　Micro LED用于穿戴式装置的技术障碍较低，可能作为实验性产品快速推出市场，但其市场规模比起电视、手机相对较小，所以对于日亚化而言属于最后市场，目前会聚焦发展的应用依序为显示屏幕、笔电、手机等。

　　——日亚化第二部门技术长坂本考史

　　由于Micro LED体积很小，晶电的磊晶、晶粒制程上要配合移转设备和系统应用等厂共同开发。在磊晶和晶粒的制程，Micro LED成功几率高，至于明年能否量产出货，则还要很努力。Micro LED需要有很好的技术、专利能力，且要结合材料、设备、系统厂共同开发，进入门槛高，尤其有红色LED。晶电在杀手级应用上已具有优势。

　　——晶电发言人张世贤

　　Micro LED是一项新技术、新应用，有机会增加LED的使用量，这也是隆达布局新应用的方向之一。目前已有不少公司都在布局，进度不一。至于何时可商业化量产，他认为，投入初期良率差，更多人投入后良率提升的学习曲线，不能省略。技术总是一代又一代推陈出新，隆达做好准备。

　　——隆达董事长苏峯正

编者结语

　　工研院经实测后认定Micro LED比OLED更适合用于穿戴式设备，待前者技术成熟后，价格相对更具竞争力。Micro LED技术不光是能应用于显示，也以整合多样感测器为发展方向，将在穿戴式设备、智能手机等应用扮演关键要角。但由于Micro LED在IC、检测、转移技术和应用各方面，都与现有LED产业链大不相同，因此LED厂投入研发Micro LED，其实并没有较占上风。不过，Micro LED一旦开发成功，台湾半导体、LED产业等都可望受惠，特别是可解决后者产能过剩问题。