三种Micro-LED驱动方式对比，哪种更具优势？

的连接方式有图4所示的4种。但由于LED外延生长结构是p型氮化镓（GaN）在最表面而n型氮化镓在底层，如图5所示。从制备工艺角度出发驱动晶体管的输出端与Micro-LED像素的p电极连接较为合理，即图4中的（a）和（c）。

图4（a）中Micro-LED像素连接在N型驱动晶体管的源极（Source）。由外延生长（Epitaxial Growth）、制备工艺、及器件老化所产生的不均匀性所导致的Micro-LED电学特性的不均匀性将会直接影响驱动晶体管的VGS，从而造成显示图像的不均匀。而图4（c）中的Micro-LED像素连接在P型驱动晶体管的漏极（Drain），可以避免上述影响，其电流-电压关系图6所示。因此，有P管像素电路驱动Micro-LED较为适宜。