下一代In-cell触控方案的核心技术详解

　　自电容感应技术对下世代In-cell触控方案的发展重要性大增。为压低量产成本并提高良率，除触控面板厂积极研发整合感应层与驱动层的单层自电容In-cell多点触控方案外，触控IC业者也加紧补强自电容感应功能，并打造可同时支援自/互电容感应的整合型方案。

　　自iPhone 5掀起内嵌式（In-cell）触控发展风潮至今，碍于技术成本高、良率不佳，以及触控IC开发困难等因素，In-cell一直局限于高阶产品应用；所以相关面板厂及晶片商均致力改良In-cell感应层（Rx）结构及控制晶片，并克服In-cell触控严重杂讯问题与实现多点触控，以达成较佳的量产投资效益，加速切入中低阶智慧型手机。

　　现阶段，晶片业者已锁定可同时支援自电容与互电容感应的In-cell触控方案，全面提升晶片讯噪比（SNR）、差动讯号分析功能，包括赛普拉斯 （Cypress）、义隆电子皆已整合两种电容侦测技术，开发新款触控IC；至于其他晶片商也开始补强自电容矽智财（IP）阵容，加紧脚步跟进。

　　兼备自/互电容感应触控IC减轻面板杂讯

　　 赛普拉斯TrueTouch行销总监John Carey表示，赛普拉斯除已在In-cell触控市场抢占一席之地外，近期在OGS领域的发展也大有斩获。

　　赛普拉斯TrueTouch行销总监John Carey表示，In-cell触控感应层相当接近液晶显示器（LCD）讯号源，同时也会受到电源杂讯干扰，目前最大的技术挑战在于如何精确量测讯号；因此，触控IC必须扩增运算及感测能力，同时还要加强与LCD驱动IC的通讯与分时处理机制，才能让In-cell同时兼顾轻薄设计与优异的触控使用体验。

　　基于上述考量，触控IC厂纷纷补强晶片自电容感应功能，以撷取更多In-cell触控感应层讯号，再透过分析过滤杂讯，提升触控反应速度与精准度表现。不过，Carey强调，由于自电容技术还不能支援三指以上的多点触控，须搭配互电容感应，因而掀起新一代触控IC支援双电容感应的设计风潮。

　　其中，赛普拉斯凭借完整自电容、互电容IP阵容，已打造业界首款整合型触控IC，其可自动切换两种感应方式，再透过差动讯号分析功能，改善In-cell 触控面板充斥大量杂讯的弊病。Carey指出，该公司于2013年国际消费性电子展（CES）展出的最新触控方案--TrueTouch Gen4X，其抗杂讯能力较前一代产品提升三倍，讯号更新率更高达100？120Hz，大幅超越业界60Hz的平均水准。

　　据悉，该产品已开始送样，未来1？2个月内将导入量产。Carey透露，由于In-cell触控对控制晶片的客制化程度大幅攀升，因此，赛普拉斯也积极与台湾、中国大陆及日系面板大厂合作。另外，韩系面板厂也研拟与该公司共同推动In-cell触控研发计画。在一连串紧密合作之下，搭载Gen4X触控IC 的终端产品预计将于今年夏天出炉，抢进高阶智慧型手机市场。

　　无独有偶，义隆电子也于今年CES秀出自/互电容感应的多点触控解决方案--Smart-Touchscreen。该产品锁定小尺寸智慧型手机，采用数位讯号处理器（DSP）提高核心运算能力，并整合自电容和互电容感应的优势加强杂讯免疫能力，从而提供高准确度和线性度；此外，其支援单层透明导电膜 （ITO）触控面板方案，并提供最高十指多点触控及2毫米（mm）触控笔，性价比表现出色。

　　至于新思国际（Synaptics）、敦泰科技等触控IC厂则加快脚步研发自电容设计，近期已相继揭露技术进展与产品计画，可望在未来跟进发布自/互电容双感应产品。Carey强调，短期内，触控面板厂要开发具多点触控、高抗杂讯能力的In-cell产品，导入自/互电容整合型控制晶片将是一条捷径，遂激励IC厂大举投入研发。

　　除增强电容感测能力外，In-cell触控IC也须与LCD驱动IC协同运作，才能减低互相影响的风险。现阶段业界大致分成两大技术阵营，首先系新思国际力拱的模式，亦即将触控IC与LCD驱动IC整合成系统单晶片（SoC）；其次是透过显示器驱动介面（DDI），让触控IC与LCD驱动IC进行沟通的设计方案。

　　Carey分析，In-cell触控面板各家技术迥异；若搭配第一种整合方案，虽能强化客制化程度，但也缺乏设计弹性，要提升晶片的近接感测 （Proximity Sensing）、杂讯分析，或增加悬浮触控、防水等新功能相对困难；至于第二种分离式方案则能因应不同LCD驱动需求，进一步更改DDI设计，支援多样化功能设计与In-cell触控面板架构，故为赛普拉斯及多数触控IC厂采用。

不仅In-cell触控IC出现重大技术突破，在感应层设计方面也大有进展。近来，供应链业者正酝酿以单层自电容取代既有双层互电容感应技术，包括苹果 （Apple）、三星（Samsung）、台/日系面板厂及一线触控IC大厂均启动专利布