安森美半导体的医疗可穿戴应用方案

　　中国人口老龄化进程正持续加快中：据联合国 2010 年的世界人口展望，2010 年中国 60 岁以上人口所占百分比为 12.3%，预计到 2030 年将增至 24.4%，到 2050 年甚至将达 33.9%。同时，随着人们生活水准的提高，预期寿命越来越长，将会更加注重医疗及保健，门诊、家中保健将越来越普遍。而且，人口老龄化或许将催生更高的心脏病、糖尿病、气喘的发病率，再加上中国政府计划实现全民医保等，中国的医疗设备行业将会持续发展。

　　目前中国医疗设备市场分散，且仅由少数大型医疗设备公司如迈瑞、金科威、欧姆龙等主导，市场潜力极大，众多小型公司也瞄准此一市场，争相开发创新的医疗方案。故医疗设备的发展趋势包括增加"智能"及数据储存功能、可携性、无线 / 连接型方案、人体区域网络等。而医疗半导体无疑在医疗设备、方案的创新中发挥着主导作用，朝向更高整合度、小型化、高效能发展，同时使消费类医疗设备转向采用标准元件并嵌入无线功能。

　　安森美半导体将矽引入生活

　　安森美半导体以高性能矽方案帮助医疗技术开发者解决他们独特的设计挑战。作为健康联盟的积极成员，安森美半导体高技能的系统架构师、设计、封装和测试工程师，具备丰富的知识产权（IP）阵容，拥有世界级工厂，凭藉超过 30 年的订制矽经验，提供全面的产品阵容和服务，包括：订制的混合讯号专用集成电路（ASIC）、专用标准产品（ASSP）、医疗级分立元件、助听器数字讯号处理（DSP）系统、订制的和半订制的超低功耗内存、为系统小型化的先进封装、附加代工服务等，其开发套件、软件包、产品库等保证完全合格和稳定的开发流程，产品使用寿命支持延长的产品生命周期，数据可追踪和保存，品质获 ISO 13485 医疗系统认证，且设立故障分析实验室，可批量验收测试。

　　安森美半导体的重点医疗细分市场涵盖植体、听力健康和临床及指定设备。

　　植体

　　植体应用主要包括除颤器及心脏起博器、神经刺激器、可注射监测器和可吸入电子设备。安森美半导体为此类应用提供 ASIC、内存、分立元件、模组及晶圆代工服务。

　　以植入式神经刺激平台为例，安森美半导体提供整合控制器、内存、数字、类比和高压的单芯片方案，使用多通道突波抑制器（TSS）进一步显著减少分立元件数（通常将 IC 裸片数从 3-4 颗减少至 1-2 颗），有助于减小电路板所占空间，简化设备制造和物流，降低成本和功耗，减少对系统、电路板的依赖，提升品质，加快产品上市时间，降低开发风险。

　　▲ 安森美半导体用于植入式神经刺激平台的单芯片方案。

　　安森美半导体提供二极体、MOSFET、IGBT、电源稳压器等标准分立元件用于医疗应用，并配合医疗市场需要提供可订制的选择 。

　　▲ 安森美半导体提供的可订制选择。

　　安森美半导体可根据医疗应用的独特需求提供订制的 ASSP，如多通道瞬时突波抑制器可根据独特的物理需求和电子参数而订制，具备极快导通、最大冲击电流大于 12A 等关键功能；并提供引脚少、超低漏电流、储存容量达 8 Mb、实现超低功耗的 SRAM、EEPROM 和 SRAM-Flash。

　　为实现更低成本及更高效能等需求，安森美半导体还提供替代 EEPROM、FRAM 和标准 SRAM 的串行 SRAM 内存。并行 SRAM 通常需要 3 路控制输入、15 路地址输入和 8 路数据 I/O 共 26 条线路，仅用于低功耗应用。而串行 SRAM 仅需共 4 条线路，且占位面积更小，引脚更少，功耗更低，可保存备份平均 10 年的数据，系统成本更低，非常适合用于心脏监测设备等小尺寸应用。

　　特别的是，为配合特定要求的 FDA III，安森美半导体提供医疗级标准元件用于植体或生命攸关的应用，并提供符合 MIL-PRF-1950 标准、认证的 MIL-STD-750 测试法、支持 JAN / JANHC 品质水准、于国防后勤局（DLA）批准的生产线制造等军工标准协议模式的高可靠性工艺流程。

　　助听器

　　根据佩戴位置的不同，助听器主要分为耳背式（Behind-The-Ear，BTE）和耳内式（In-The-Ear，ITE）。前者包括传统 BTE、微型 BTE 和耳道内置受话器（Receiver-In-Canal，RIC），后者包括全、3/4、半耳腔式 ITE、耳道内置（ITC）、深耳道（Completely-In-Canal，CIC）及耳道内不可见（Invisible-In- Canal，IIC）。

　　▲ 助听器主要类型概览。

微型及"不可见"是助听器的一大趋势，更小巧的 RIC 及新的 IIC 类型更受欢迎，其要求半导体制造商转移至 65 nm 或更小节点的工艺及微型化封装技术；助听器的第二大趋势是将添加无线通讯及连接功能，当前采用 2.4 GHz、900 MHz 及附蓝牙继电器元件的近场