音频功率放大器NCP2890的原理与应用
摘要:介绍了安森美半导体(On Semi)公司A-B类音频功率放大器NCP2890的主要性能特点和基本工作原理,给出了用NCP2890设计音频功放的典型应用电路和设计方法。
1 概述
NCP2890是安森美半导体(On Semi)公司推出的经济高效、功能齐备的音频系列产品中的第一款音频功率放大器,它是专为手机和PDA等电池供电的无线设备而设计生产的,是一种质量非常优秀的无线应用A-B类音频功率放大器,可为客户提供卓越的音频性能。该器件在具有出众的电源抑制比(PSRR)和总谐波失真加噪声(THD+N)特性的同时,综合了外部控制增益特征和可调式开机与关机延时功能,并具有“开机和关机”控制电路,能消除开启和关闭此类音频功率放大器时产生的可听噪声,可灵活应用于便携式音频设备的设计中。NCP2890允许锂离子或锂聚合物电池直接供电,因而省却了额外的低压降稳压器(LDO),同时减少了电路板的占用空间并降低了整体成本。
2 芯片结构与性能参数
为满足特定市场的需求,NCP2890目前有Mi-crobump-9(2.25mm2)和Micro-8(14.7mm2)两种不同的封装形式,图1所示为其引脚排列图,各引脚的功能如表1列。
Microbump -9 | Micro8 | 名 称 | 功 能 |
A1 | 4 | INM | 音频信号反输入端,外接Rf与Rin |
A2 | 5 | OUTA | 反相输出端,外接负载 |
A3 | 3 | INP | 同相输入端 |
B1 | NA | VM_P | 接地端 |
B2 | 7 | VM | 接地端 |
B3 | 6 | Vp | 电源输入端,电压范围为2.2V-5.5V |
C1 | 2 | BYPASS | 外接旁路电容端 |
C2 | 8 | OUTB | 同相输出端,外接负载 |
C3 | 1 | SHUTDOWN | 关断控制端,低电平有效 |
NCP2890内部包括671个晶体管、1899个MOS门电路,因而具有极佳的音频性能,表2给出了NCP2890的主要性能参数。
表2 NC2890主要性能参数
参 数 | 最 小 | 标 准 | 最 大 | 单 位 |
电源电压(Vp) | 2.6 | 5.5 | V | |
输出功(Po) | 0.28 | 1.08 | W | |
效率(η) | 63 | % | ||
静态电流(Idd) | 1.5 | 1.7 | 4.0 | mA |
总高次谐波加噪声(THD+N) | 0.02 | % | ||
电源抑制比(PSRR V+) | -74 | dB | ||
信噪比(SNR) | 84 | dB | ||
启动电压V(SDIH) | 1.2 | V | ||
关闭电压(VSDIL) | 0.4 | V | ||
启动时间(TWU) | 285 | ms | ||
关闭时间(TSD) | 385 | ms |
3 应用电路设计
图2所示为NCP2890音频功放的典型应用电路,由图2可见,NCP2890外围只有用来调节增益的两个电阻、一个输入耦合电容、一个旁路电容等少数几个元件,因此所需外围器件极其简单。
3.1 电路工作原理
NCP2890内含两个完全一样的功率放大器,输入的音频信号经第一个功率放大器放大后从OUTA输出。电压增益由外接电阻Rf与Rin的比值决定。放大后的音频信号再经增益为1的第二个功率放大器进行反相放大,并从OUTB输出。由于OUTA端与OUTB端输出的音频功率信号大小相等、相位相反,且两个输出端(OUTA和OUTB)的直流静态电位相同(Vp/2),所以,扬声器可以直接连接到OUTA与OUTB端,而不用增加输出耦合电路。两个功率放大器的输出级均采用PMOS和NMOS晶体管特殊设计而成。正常导通时,其沟道电阻小于0.6Ω,因而其输出波形失真非常小。
一般的功率放大器在开启和关闭过程中会产生人耳可听到的噪声,为了消除这种可听噪声,在NCP2890内部专门设计了消噪声电路。开机时,逻辑高电平加到开关控制端,旁路电容Cby上的直流电压值开始按指数规律增加,当电压值达到共模电压值(Vp/2)时,开始输出功率(此过程大约50ms);而关机时,控制端接低电平,负载被连接到接地端,输出功率为零,此时电路的直流静态电流小于100nA。
3.2 电路元件参数设置
Rin与Rf用来设置放大器的闭环增益,为了优化NCP2890的性能,放大器的闭环增益应该设置在较低的水平,此时THD最小,信噪比最大,频率响应范围最宽。所以在多数情况下,放大器的闭环增益一般设置在2~5之间,因此,输入电阻(Rin)的取值D在20kΩ比较合适,而Rf则用来调节闭环增益以控制输出功率。
输入耦合电容Cin用来隔离放大器输入端的直流电压,同时可与Rin组成一个高通滤波器,但它会影响滤波器的下限截止频率。为了使低频信号不至于衰减过大,理论上,Cin应该取较大的值,而较大容量电容的充放电时间较长,因此,需要较长的时间才能使输入端的静态电位达到Vp
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