媲美Atom：高通新架构Krait 300/400杀来

CES赫然已经成为移动处理器的新战场：NVIDIA Tegra 4高调成为全球首款四核A15 SoC，Intel拿出了新的Atom Z2420冲击低端市场，高通则正式宣布了两个新的Krait CPU架构。

Krait是高通在ARMv7指令集的基础上自行研发的兼容架构，自从去年诞生以来一直牢牢统治着智能手机SoC市场，但不同于从Scorpion过渡到Krait，高通这次发布的新架构没有新名字，而是叫做"Krait 300"、"Krait 400"，也可以看出它们都不是真正全新设计的，而是现有产品的增强版。

Krait 300

仍然是台积电28nm LP工艺制造，流水线也没变，但是核心频率被进一步拔高，从现在的1.5GHz左右提升到1.9GHz，可以媲美Tegra 4，但不知道这是怎么得来的：增加电压？改进布局和良品率？

Krait 300现在具备了硬件数据预取器，可以快速从主内存中获取数据，送入二级缓存。原来的Krait是没有这个功能的。

单线程性能本来就是高通的强项，Krait 300又更上一层楼，提高了分支预测精度，而因为流水线深度不变，更精确的分支预测可以直接带来更高的IPC，以及更好的能效。

无论高通还是ARM都对可以乱序执行的指令类型语焉不详，但我们知道，Krait 300可以执行更多指令了。强有力的乱序执行引擎(OoOE)对于提高性能是至关重要的，而执行指令集类型的多寡直接关乎单线程性能。

Krait 300现在还支持流水线间推进(forwarding between pipelines)，并改进了浮点和JavaScript性能，但具体细节都不清楚。

综合来说，Krait 300在同频下相比现有架构能有15％左右的性能提升，再加上频率提升的话可以获得20-30％。这还不足以追赶Cortex-A15，但功耗和能效要优秀得多。对比Intel Atom，即便不能超越至少也能达到同一档次。

Krait 400

如果说Krait 300是主流级别的，Krait 400就是超高性能的。它采用台积电新的28nm HPM工艺制造，融入HKMG技术并为低功耗的峰值性能做了优化，主频最高可达2.3GHz。

当然了，使用新工艺意味着高通需要重新设计电路，一些布局也需要调整。

它具备Krait 300的全部改进，同时也有自己的一些独到之处，比如改进的内存界面、更低的主内存延迟、更快的二级缓存。

Karit 300/400架构产品仍会命名为骁龙Snapdragon，但型号体系抛弃S4、S3、S2、S1，而是改成了800、600、400、200，性能逐一降低，分别面向智能电视/平板机/数字媒体适配器/智能手机、高端平板机/智能手机、主流平板机和智能手机、入门级智能手机。今天宣布的是前两个。

Snapdragon 800

Snapdragon 800配备四个Krait 400 CPU核心，主频最高2.3GHz，单芯片整合图形核心Adreno 330、高通第三代LTE基带9x25(现在基带是分离的)、802.11ac Wi-Fi无线模块、Hexagon v5 DSP、USB 3.0主控制器，内存支持双通道32-bit LPDDR3-1600，还支持30fps 4K超高清分辨率的编码、解码，屏幕分辨率最高2560×2048。

高通称，Adreno 330可比Adreno 220带来大约50％的图形性能提升，计算能力则增加几乎两倍。

整合基带9x25和之前已经出样的独立型MDM9x25在本质上是相通的，也最高支持UE Category 4 LTE 150Mbps，同样也支持CDMA2000/WCDMA/LTE、WCDMA/LTE。

Snapdragon 600

Snapdragon 600拥有两个Krait 300 CPU核心，主频最高1.9GHz，图形核心是Adreno 320，频率也会比现在高。

对比现在的S4，Snapdragon 600预计可带来最多40％的性能提升。

其实 ，之前流传的"MSM8974"、"APQ8064T"其实分别就属于Snapdragon 800、600系列，估计发布后要改名了。

高通预计基于Snapdragon 800/600的平板机、智能手机会在第二季度开始出现。