光伏电池电气性能的评测(上)
h = PMAX/PIN
PV电池的I-V测量可以在正偏(光照下)或反偏(黑暗中)两种情况下进行。正偏测量是在PV电池照明受控的情况下进行的,光照能量表示电池的输入功率。用一段加载电压扫描电池,并测量电池产生的电流。一般情况下,加载到PV电池上的电压可以从0V到该电池的开路电压(VOC)进行扫描。在0V下,电流应该等于短路电流(ISC)。当电压为VOC时,电流应该为零。在如图1所示的模型中,ISC近似等于负载电流(IL)。
PV电池的串联电阻(rs)可以从至少两条在不同光强下测量的正偏I-V曲线中得出。光强的大小并不重要,因为它是电压变化与电流变化的比值,即曲线的斜率,就一切情况而论这才是有意义的。记住,曲线的斜率从开始到最后变化很大,我们所关心的数据出现在曲线的远正偏区域(far-forward region),这时曲线开始表现出线性特征。在这一点,电流变化的倒数与电压的函数关系就得出串联电阻的值:
rs = ΔV/ΔI
到目前为止本文所讨论的测量都是对暴露在发光输出功率下,即处于正偏条件下的PV电池进行的测量。但是PV器件的某些特征,例如分流电阻(rsh)和漏电流,恰恰是在PV电池避光即工作在反偏情况下得到的。对于这些I-V曲线,测量是在暗室中进行的,从起始电压为0V到PV电池开始击穿的点,测量输出电流并绘制其与加载电压的关系曲线。利用PV电池反偏I-V曲线的斜率也可以得到分流电阻的大小(如图5所示)。从该曲线的线性区,可以按下列公式计算出分流电阻:
rsh = ΔV Reverse Bias/ΔI Reverse Bias
V反偏
用于估算rsh的线性区
ΔI反偏
ΔV反偏
log I反偏
图5. 利用PV电池反偏I-V曲线的斜率可以得到PV电池的分流电阻。
除了在没有任何光源的情况下进行这些测量之外,我们还应该对PV电池进行正确地屏蔽,并在测试配置中使用低噪声线缆。
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