微波EDA网,见证研发工程师的成长! 2025濠电姷鏁告慨鐑藉极閸涘﹥鍙忛柣鎴f閺嬩線鏌涘☉姗堟敾闁告瑥绻橀弻鐔虹磼閵忕姵鐏嶉梺绋块椤︻垶鈥﹂崸妤佸殝闂傚牊绋戦~宀€绱撴担鍝勭彙闁搞儜鍜佸晣闂佽瀛╃粙鎺曟懌闁诲繐娴氶崢濂告箒濠电姴锕ら幊搴㈢閹灔搴ㄥ炊瑜濋煬顒€鈹戦垾宕囧煟鐎规洜鍠栭、姗€鎮欏顔锯偓鎾⒒閸屾瑧顦﹂柟璇х節閹兘濡疯瀹曞弶鎱ㄥ璇蹭壕閻庢鍠栭…鐑藉极閹邦厼绶炲┑鐘插閸氬懘姊绘担鐟邦嚋缂佽鍊歌灋妞ゆ挾鍊e☉銏犵妞ゆ挾濮烽敍婊堟⒑缂佹ê濮﹂柛鎾寸懇瀹曟繈濡堕崱娆戭啎缂佺虎鍙冮ˉ鎾跺姬閳ь剟鎮楀▓鍨灈妞ゎ厾鍏橀獮鍐閵堝懎绐涙繝鐢靛Т鐎氼喛鍊撮梻鍌氬€风粈渚€骞夐敓鐘茬闁糕剝绋戝婵囥亜閺冨倻鎽傞柛鐔锋噽缁辨捇宕掑顑藉亾閹间礁纾归柣鎴eГ閸ゅ嫰鏌ら幖浣规锭闁搞劍姊归妵鍕箻閸楃偟浠奸梺鎼炲妼閸婂潡寮诲☉銏╂晝闁挎繂妫涢ˇ銉╂⒑閽樺鏆熼柛鐘崇墵瀵寮撮悢铏诡啎闂佺粯鍔﹂崜姘舵偟閺囥垺鈷戠紒瀣儥閸庡繑淇婇锝囩疄鐎殿喛顕ч埥澶婎潩椤愶絽濯伴梻浣告啞閹稿棝鍩€椤掆偓鍗遍柛顐g箥濞撳鏌曢崼婵囧殗闁绘稒绮撻弻鐔煎礄閵堝棗顏�04闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柟闂寸绾惧綊鏌熼梻瀵割槮缁炬儳缍婇弻鐔兼⒒鐎靛壊妲紒鐐劤缂嶅﹪寮婚悢鍏尖拻閻庨潧澹婂Σ顔剧磼閹冣挃闁硅櫕鎹囬垾鏃堝礃椤忎礁浜鹃柨婵嗙凹缁ㄥジ鏌熼惂鍝ョМ闁哄矉缍侀、姗€鎮欓幖顓燁棧闂備線娼уΛ娆戞暜閹烘缍栨繝闈涱儐閺呮煡鏌涘☉鍗炲妞ゃ儲鑹鹃埞鎴炲箠闁稿﹥顨嗛幈銊╂倻閽樺锛涢梺缁樺姉閸庛倝宕戠€n喗鐓熸俊顖濆吹濠€浠嬫煃瑜滈崗娑氭濮橆剦鍤曢柟缁㈠枛椤懘鏌嶉埡浣告殲闁绘繃娲熷缁樻媴閽樺-鎾绘煥濮橆厹浜滈柨鏃囶嚙閺嬨倗绱掓潏銊︻棃鐎殿喗鎸虫慨鈧柍閿亾闁归绮换娑欐綇閸撗呅氬┑鐐叉嫅缁插潡寮灏栨闁靛骏绱曢崢閬嶆⒑閸濆嫬鏆婇柛瀣尰缁绘盯鎳犻鈧弸娑㈡煟濞戝崬娅嶇€殿喕绮欓、妯款槼闁哄懏绻堝娲濞戞艾顣哄┑鐐额嚋缁茶法鍒掗鐔风窞濠电姴瀛╃€靛矂姊洪棃娑氬婵☆偅绋掗弲鍫曟焼瀹ュ棛鍘遍柣搴秵閸撴瑦绂掗柆宥嗙厵妞ゆ洖妫涚弧鈧繝纰夌磿閸忔﹢宕洪敓鐘茬<婵犲﹤鍟粻娲⒒閸屾瑧顦﹂柟纰卞亜鐓ら柕濞炬櫅绾剧粯绻涢幋娆忕仼闁绘帒鐏氶妵鍕箳閸℃ぞ澹曟繝鐢靛Л閸嬫捇姊洪鈧粔鎾倿閸偁浜滈柟鍝勭Х閸忓矂鏌涢悢鍝ュ弨闁哄瞼鍠栧畷娆撳Χ閸℃浼�04闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柟闂寸绾惧綊鏌熼梻瀵割槮缁炬儳缍婇弻鐔兼⒒鐎靛壊妲紒鐐劤缂嶅﹪寮婚悢鍏尖拻閻庨潧澹婂Σ顔剧磼閹冣挃闁硅櫕鎹囬垾鏃堝礃椤忎礁浜鹃柨婵嗙凹缁ㄥジ鏌熼惂鍝ョМ闁哄矉缍侀、姗€鎮欓幖顓燁棧闂備線娼уΛ娆戞暜閹烘缍栨繝闈涱儐閺呮煡鏌涘☉鍗炲妞ゃ儲鑹鹃埞鎴炲箠闁稿﹥顨嗛幈銊╂倻閽樺锛涢梺缁樺姉閸庛倝宕戠€n喗鐓熸俊顖濆吹濠€浠嬫煃瑜滈崗娑氭濮橆剦鍤曢柟缁㈠枛椤懘鏌嶉埡浣告殲闁绘繃鐗犲缁樼瑹閳ь剟鍩€椤掑倸浠滈柤娲诲灡閺呭爼骞嶉鍓э紲濡炪倖娲栧Λ娑㈠礆娴煎瓨鎳氶柡宥庣亹瑜版帗鏅查柛顐ゅ櫏娴犫晛顪冮妶鍡樷拹婵炶尙鍠庨~蹇撁洪鍛画闂佽顔栭崰妤呭箟婵傚憡鈷戦柤濮愬€曢弸鍌炴煕鎼达絾鏆鐐插暙椤粓鍩€椤掑嫬鏄ラ柨鐔哄Т缁€鍐┿亜韫囨挻锛旂紒杈ㄧ叀濮婄粯鎷呴搹鐟扮闂佽崵鍠嗛崹钘夌暦閹达箑绠荤紓浣贯缚閸橀亶姊洪棃娴ㄥ綊宕曢幎钘夋槬闁挎繂娲犻崑鎾斥枔閸喗鐏堝銈庡弮閺€杈ㄧ┍婵犲洤绠瑰ù锝呮憸閸樻悂姊虹粙鎸庢拱闁活収鍠氶懞杈ㄧ鐎n偀鎷绘繛杈剧到閹虫瑨銇愰幒鎴濈彉濡炪倖甯掗崐濠氭儗濞嗘挻鐓欓弶鍫熷劤閻︽粓鏌℃担绋库偓鍧楀蓟閵娾晜鍋嗛柛灞剧☉椤忥拷 闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柟闂寸绾惧綊鏌熼梻瀵割槮缁炬儳缍婇弻鐔兼⒒鐎靛壊妲紒鐐劤缂嶅﹪寮婚悢鍏尖拻閻庨潧澹婂Σ顔剧磼閹冣挃闁硅櫕鎹囬垾鏃堝礃椤忎礁浜鹃柨婵嗙凹缁ㄥジ鏌熼惂鍝ョМ闁哄矉缍侀、姗€鎮欓幖顓燁棧闂備線娼уΛ娆戞暜閹烘缍栨繝闈涱儐閺呮煡鏌涘☉鍗炲妞ゃ儲鑹鹃埞鎴炲箠闁稿﹥顨嗛幈銊╂倻閽樺锛涢梺缁樺姉閸庛倝宕戠€n喗鐓熸俊顖濆吹濠€浠嬫煃瑜滈崗娑氭濮橆剦鍤曢柟缁㈠枛椤懘鏌eΟ鑽ゅ灩闁搞儯鍔庨崢閬嶆煟韫囨洖浠滃褌绮欓幃锟狀敍濮樿偐鍞甸柣鐔哥懃鐎氼厾绮堥埀顒勬⒑鐎圭媭娼愰柛銊ユ健閵嗕礁鈻庨幋鐘碉紲闂佽鍎虫晶搴g玻濡ゅ懏鈷掑ù锝呮啞閸熺偞銇勯鐐搭棦鐎规洘锕㈤弫鎰板幢濞嗗苯浜炬繛宸簼閸婂灚顨ラ悙鑼虎闁告梹纰嶇换娑㈡嚑椤掆偓閳诲牏鈧娲橀崹鍧楃嵁濮椻偓閹虫粓妫冨☉娆戔偓顓㈡⒒娴e憡鍟炴繛璇х畵瀹曟粌鈽夐姀鈩冩珫濠电偞鍨崹娲煕閹达附鐓曟繛鎴炃氶惇瀣箾閸喐绀€闁宠鍨块幃娆戞嫚瑜戦崥顐︽⒑鐠団€虫灆闁告濞婇妴浣割潩鐠鸿櫣鍔﹀銈嗗坊閸嬫捇鏌i敐鍥у幋鐎规洖銈稿鎾Ω閿旇姤鐝滄繝鐢靛О閸ㄧ厧鈻斿☉銏╂晞闁糕剝銇涢弸宥夋倶閻愮紟鎺楀绩娴犲鐓熸俊顖濇娴犳盯鏌¢崱蹇旀珔闁宠鍨块、娆撴嚍閵夈儱鏀俊銈囧Х閸嬫盯鏁冮妷銉殫闁告洦鍨扮粻娑欍亜閹烘垵浜扮紒閬嶄憾濮婄粯鎷呯粵瀣秷閻庤娲橀敃銏ゃ€佸鎰佹▌闂佸搫琚崝鎴炰繆閸洖骞㈤柡鍥╁Х閻i箖姊绘笟鈧ḿ褔鎮ч崱娆屽亾濮樼厧鐏︾€规洘顨呴悾婵嬪礋椤掑倸骞堟繝鐢靛仜濡鎹㈤幋位澶愬閳╁啫寮挎繝鐢靛Т閹冲繘顢旈悩鐢电<閺夊牄鍔岀粭鎺楁懚閿濆鐓犲┑顔藉姇閳ь兙鍊曞嵄妞ゆ帒瀚埛鎺懨归敐鍛殘鐟滅増甯楅弲婵嬫煏閸繃瀚呴柤鏉挎健濮婃椽顢楅埀顒傜矓閹绢喗鍊块柛顭戝亖娴滄粓鏌熼崫鍕ラ柛蹇撶焸閺屾盯鎮㈤崫銉ュ绩闂佸搫鐬奸崰鏍х暦濞嗘挸围闁糕剝顨忔导锟�婵犵數濮烽弫鍛婃叏閻戣棄鏋侀柛娑橈攻閸欏繘鏌i幋锝嗩棄闁哄绶氶弻娑樷槈濮楀牊鏁鹃梺鍛婄懃缁绘﹢寮婚敐澶婄闁挎繂妫Λ鍕⒑閸濆嫷鍎庣紒鑸靛哺瀵鎮㈤崗灏栨嫽闁诲酣娼ф竟濠偽i鍓х<闁诡垎鍐f寖缂備緡鍣崹鎶藉箲閵忕姭妲堥柕蹇曞Х椤撳搫鈹戦悙鍙夘棞缂佺粯甯楃粋鎺撱偅閸愨斁鎷虹紓浣割儐椤戞瑩宕曞澶嬬厱濠电姴鍟扮粻鐐碘偓娈垮枛椤嘲顕i幘顔藉亜闁惧繗顕栭崯搴ㄦ煟閻斿摜鐭婄紒澶屾嚀閻g兘顢涢悜鍡樻櫇闂佹寧妫佸Λ鍕焵椤掑啯纭鹃柍瑙勫灴閹晠宕f径濠庢П闂備焦濞婇弨閬嶅垂閸ф钃熼柣鏃囨閻瑩鏌熺粙鍨劉鐎规洖纾槐鎾存媴閸濆嫅锝夋煙缁嬫鐓煎┑锛勬暬瀹曠喖顢涘☉娆愮彆闂佽崵濮村ú鈺冧焊濞嗘劗顩锋い鏍ㄧ矌绾捐棄銆掑顒佹悙闁哄绋掗妵鍕敇閻樻彃骞嬮梺闈涙缁€渚€鍩ユ径鎰潊闁炽儲鏋奸崑鎾绘倻閼恒儱鈧敻鏌i姀銏☆仮闁荤喖鍋婇崵鏇㈡煙閹澘袚闁抽攱甯掗湁闁挎繂鐗婇鐘绘偨椤栨稓鈯曠紒缁樼洴瀹曪絾寰勭仦瑙f嫲闁诲氦顫夊ú姗€宕濆▎蹇曟殾闁绘垹鐡旈弫鍥ㄧ箾閹寸伝鍏肩珶閺囩偐鏀芥い鏃傜波缂傛岸鏌涚€n偅灏甸柍褜鍓氶悢顒勫箯閿燂拷
首页 > 测试测量 > 测试测量技术文库 > AFM:应对65nm以下测量技术挑战

AFM:应对65nm以下测量技术挑战

时间:11-13 来源:3721RD 点击:

半导体工业目前已经进入65纳米及以下技术时代,关键特征通常为纳米级,如此小特征的制造工艺要求特殊的测量仪器,以便能够表征出纳米级几何尺寸,从而检验出任何偏离工艺规格中心值的情况,确保与设计规格保持一致。

扫描探针显微镜(SPM)已经应用在纳米技术和纳米科学中,主要包括以结构、机械、磁性、形貌、电学、化学、 生物、工程等为基础的研究和工业应用。原子力显微镜(AFM)是以显微力感应为基础的SPM家族的一个分枝。工业用AFM是一种自动的,由菜单驱动的在线生产测量机台,自动的硅片操作、对准、探针操作、位置寻找、抓图和图像数据分析等测量都被编程在菜单中,最终输出测量数据。值得一提的是,AFM作为130纳米及以下技术结点中表征刻蚀和化学机械抛光(CMP)的尺寸测量的先进几何控制方法已经被广泛应用于半导体制造业,与半导体工业工艺技术类似,光掩膜和薄膜为主的工业也采用了AFM作为工艺测量方法。

AFM可以测量表面形貌、3D尺寸和几何形状,水平表面轮廓和垂直侧壁形状轮廓。测量区域可以在很小(<50μm)或很长(<10cm)的范围内。采用小比例AFM模式,可测量的变量有高度或深度、线宽、线宽变化、线边缘粗糙度、间距、侧壁角度、侧壁粗糙度、横截面轮廓、和表面粗糙度。在长范围(Profiler模式),AFM用于CMP工艺总体表面形貌轮廓的测量。

AFM测量的优点

除AFM以外,CD SEM、横截面SEM(X-SEM), TEM、Dual Beam、光学散射测量、光学轮廓仪和探针轮廓仪均为已有的表征和监控工艺尺寸的测量方法。通常认为最值得信任的3D尺寸分析方法应该是X-SEM或TEM,但是X-SEM或TEM的主要障碍是样品制备、机台操作、时间以及费用。X-SEM和TEM会破坏硅片,并且只能一次性的切入特征区域。TEM不能在光刻胶上工作。CD SEM会导致光刻胶吸收电荷、收缩、甚至损伤光刻胶, CD SEM几乎无法提供3D形状信息。光学散射测量具有快速和准确的特点,但是只能在特殊设计的结构上工作,并且无法提供LER和LWR数据。为特定的薄膜结构发展一套可靠的散射测量数据库通常是非常困难并且耗时的。空间分辨率和光斑尺寸会限制X射线、光学厚度、或形貌测定仪器的应用。

由于AFM的独特特性,使得它与其它测量技术相比具有更明显的优势。AFM可以在非真空环境中工作。它是一种表面力感应的显微镜,所以它可以提供非破坏性的,直接的3D测量,胜于模拟、 模型、或者推断。AFM可以快速的检查横截面轮廓或表面形貌,以便检测出尺寸是否在规格内,而不需像TEM一样破坏制品。AFM没有光斑尺寸限制,并且在CMP平坦化应用方面,它比光学或探针轮廓仪具有更高的分辨率。

AFM可以在线测量当今纳米电子工业中的任何材料样品,不管其薄膜层结构、光学特性或是组成。AFM对于最新的先进工艺和材料集成中涌现出来的新材料(SiGe、高K、金属栅和低K)并不敏感。电路图案的逼真度和尺寸取决于其附近的环境。然而,AFM测量与特征接近度或图形密度效应之间没有偏差,这些都是ITRS2005测量部分所列出的重要要求。因此,AFM在世界半导体工业赢得了广泛应用,并且其在130纳米及更小尺寸中的应用正在增加。在应用目的方面,AFM可以被用为在线监控深度、CD和轮廓,取代TEM进行横截面轮廓的工程分析,是在线散射测量和CD校准以及追踪的极好的参考。表1为自动AFM测量的典型应用。

操作原理

在一个反馈控制回路中,AFM扫描仪控制一个微小探针在X(或Y)和Z方向进行扫描,在探针和样品表面间保持紧密的接近,从而获得所有XY和Z方向的高分辨率方位数据,如图1所示。

闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柟闂寸绾惧綊鏌熼梻瀵割槮缁炬儳缍婇弻鐔兼⒒鐎靛壊妲紒鐐劤缂嶅﹪寮婚悢鍏尖拻閻庨潧澹婂Σ顔剧磼閻愵剙鍔ょ紓宥咃躬瀵鎮㈤崗灏栨嫽闁诲酣娼ф竟濠偽i鍓х<闁绘劦鍓欓崝銈囩磽瀹ュ拑韬€殿喖顭烽幃銏ゅ礂鐏忔牗瀚介梺璇查叄濞佳勭珶婵犲伣锝夘敊閸撗咃紲闂佽鍨庨崘锝嗗瘱闂備胶顢婂▍鏇㈠箲閸ヮ剙鐏抽柡鍐ㄧ墕缁€鍐┿亜韫囧海顦﹀ù婊堢畺閺屻劌鈹戦崱娆忓毈缂備降鍔岄妶鎼佸蓟閻斿吋鍎岄柛婵勫劤琚﹂梻浣告惈閻绱炴笟鈧妴浣割潨閳ь剟骞冨▎鎾崇妞ゆ挾鍣ュΛ褔姊婚崒娆戠獢婵炰匠鍏炬稑鈻庨幋鐐存闂佸湱鍎ら〃鎰礊閺嶃劎绡€闂傚牊渚楅崕鎰版煛閸涱喚鍙€闁哄本绋戦埥澶愬础閻愬樊娼绘俊鐐€戦崕鏌ユ嚌妤e啫鐓橀柟瀵稿仜缁犵娀姊虹粙鍖℃敾妞ゃ劌妫濋獮鍫ュΩ閳哄倸鈧鏌﹀Ο渚Ш闁挎稒绋戦埞鎴︽倷閺夋垹浜堕梺鐟扮-閸嬨倕鐣烽崼鏇ㄦ晢濞达綁鏅茬紓鎾剁磽閸屾瑧顦︽い鎴濇嚇閹ê鈹戠€n偄鈧灚銇勯幘璺烘瀺缂佽妫濋弻鏇㈠醇濠靛牏顔婇梺鍛婂笂閸楁娊寮诲☉銏″亞濞达綁鏅茬花鐣岀磽娓氬洤鏋︽い鏇嗗洤鐓″璺好¢悢鑽ょ杸闁规儳澧庢闂備浇妗ㄩ悞锕傚礉濞嗗繒鏆﹂柕濞炬櫓閺佸﹪鎮规笟顖滃帥闁衡偓閵娧呯=闁稿本鑹鹃埀顒勵棑缁牊绗熼埀顒勩€侀弽顓炵妞ゆ牗绋戝▓鎴︽⒑閸涘﹥灏柣鎺炵畵閿濈偤寮撮姀锛勫幍闂佺顫夐崝锕傚吹濞嗘垹妫柟顖嗗啯鍊梺閫涚┒閸斿矂锝炲⿰鍫濆耿婵°倐鍋撴鐐差儔濮婅櫣绮欏▎鎯у壉闂佸湱鎳撳ú顓㈢嵁閸愩劉鍫柛顐ゅ枎濞堢喖姊洪棃娑辨Ф闁稿寒鍣e畷鎴﹀箻鐠囨煡鏁滃┑掳鍊撻懗鍫曞矗閸℃稒鈷戦柛婵嗗婢跺嫭鎱ㄥΟ绋垮鐎规洘绻傞鍏煎緞鐎n剙骞嶉梻浣告啞閸旀ḿ浜稿▎鎾村€块柛娑橈攻閸欏繐鈹戦悩鎻掝伀閻㈩垱鐩弻鐔风暋閻楀牆娈楅悗瑙勬磸閸斿秶鎹㈠┑瀣<婵炴垶鐟ч弳顓㈡⒒閸屾艾鈧嘲霉閸パ呮殾闁汇垻枪缁愭鏌涢埄鍐槈缁炬儳娼¢弻鐔煎箚閻楀牜妫勭紓浣哄У閻擄繝寮婚弴锛勭杸闁哄洨鍎愰埀顒€鏈换娑氱箔閸濆嫬顫囬梺鍝勮嫰缁夌兘篓娓氣偓閺屾盯骞樼€靛憡鍣板銈冨灪瀹€鎼佸极閹版澘骞㈡繛鍡樺灩濡插洦绻濆▓鍨灍闁挎洍鏅犲畷銏ゅ礂閼测晩娲稿┑鐘诧工閹虫劗澹曟總鍛婄厽闁逛即娼ф晶顔姐亜鎼淬垻鐭婃い顏勫暟閳ь剚绋掕摫闁稿﹥鍔楅埀顒侇問閸犳鎮¢敓鐘偓浣肝旈崨顓狀槹濡炪倖鍨兼慨銈団偓姘偢濮婄粯鎷呴崨濠呯闁哄浜濈换娑㈠箻椤曞懏顥栫紓渚囧枛椤兘鐛Ο灏栧亾闂堟稒鎲告い鏃€娲熼弻锝夋偐閸欏宸堕梺鍛婁緱閸樺ジ鎮¢崒鐐粹拺閺夌偞澹嗛ˇ锕傛煟濡も偓閿曘儳绮氭潏銊х瘈闁搞儺鐏涜閺屾稑鈽夐崡鐐寸亪濠电偛鎳岄崐婵嗩潖閾忓湱鐭欐繛鍡樺劤閸擃剟姊洪崨濠冨鞍缂佽瀚伴獮鎴﹀閻橆偅鏂€闂佹悶鍎弲婵嬫儊閸儲鈷戠紒瀣濠€鎵磼鐎n偄鐏ラ柍璇茬Ч閺佹劙宕担鐟扮槣闂備線娼ч悧鍡欐崲閹烘绀嗗ù鐓庣摠閻撳繘鏌涢銈呮瀾闁稿﹥鍔栭〃銉╂倷閹绘帗娈茬紓浣稿€圭敮鐐哄焵椤掑﹦鍒伴柣蹇斿哺瀵煡顢楅埀顒勫煘閹达附鍊烽柡澶嬪灩娴犳悂鏌﹂崘顔绘喚闁诡喖缍婂畷鍫曞煛娴i攱顫曟繝娈垮枛閿曘劌鈻嶉敐澶婄闁绘ǹ顕ч悘鎶芥煣韫囷絽浜炲ù婊冪埣濮婄粯鎷呴挊澶婃優闂侀潻缍囬梽鍕┍婵犲洤鐐婃い鎺嗗亾缂佺姵鐓¢弻鏇$疀閺囩倫娑㈡煛閳ь剚绂掔€n偄鈧敻鏌ㄥ┑鍡欏嚬缂併劋绮欓弻娑欑節閸曨偂妲愬┑顔硷攻濡炶棄螞閸愵煁褰掑Χ閸℃瑦鍒涢悗瑙勬礃閿曘垺淇婇幖浣肝ㄦい鏃囨閺嬬姵绻濋悽闈浶ラ柡浣告啞閹便劑鎮滈挊澶嬬€梺鍛婄☉閿曘儵宕h箛娑欑厽闁硅揪绲鹃ˉ澶愭煛鐎b晝绐旈柡宀€鍠栧鑽も偓闈涘濡差喚绱掗悙顒€绀冩い顐㈩樀婵$敻宕熼姘敤濡炪倖鍔﹀鈧紒顔肩埣濮婅櫣绱掑Ο铏圭懆闂佽绻戝畝鍛婁繆閻㈢ǹ绀嬫い鏍ㄦ皑椤斿﹪姊洪悷鎵憼缂佽绉电粋鎺楁嚃閳哄啰锛滈梺缁樺姦閸撴瑩宕濋妶鍡愪簻妞ゆ挾濮撮崢瀵糕偓娈垮枛椤兘骞冮姀銈嗗亗閹艰揪缍嗗Σ鍫曟煟閻斿摜鐭婄紒缁樺浮瀵偊顢欑亸鏍潔闂侀潧楠忕槐鏇㈠储娴犲鈷戦悷娆忓閸斻倖銇勯弴銊ュ箹閻撱倝鏌熺紒銏犳灍闁绘挻鐟﹂妵鍕籍閸屾粍鎲樺┑鐐茬墛缁捇寮婚埄鍐╁闁荤喐婢橀~宥夋⒑鐠団€崇仭婵☆偄鍟村畷瑙勩偅閸愨晛娈ゅ銈嗗笂閻掞箑鈻嶉敃鈧埞鎴︽偐閸偅姣勬繝娈垮櫘閸欏啴鐛箛娑樼妞ゆ棁鍋愰ˇ銊ヮ渻閵堝懐绠伴柛鐔哄閵囨瑩骞庨懞銉㈡嫽婵炴挻鍩冮崑鎾绘煃瑜滈崜姘辩矙閹捐鐓橀柟鐑橆殕閻撴洟鏌¢崒婵囩《閼叉牠姊洪悷鎵暛闁搞劌缍婇崺鐐哄箣閻橆偄浜鹃柨婵嗙凹缁ㄨ崵绱掗幇顓犫槈妞ゎ亜鍟存俊鍫曞幢濡⒈妲梻浣烘嚀閸熻法绮旈悷鎵殾妞ゆ劏鎳¢弮鍫濆窛妞ゆ棁顫夌€氳棄鈹戦悙鑸靛涧缂佽弓绮欓獮澶愭晬閸曨剙顏搁梺璺ㄥ枔婵敻鎮″▎鎾寸叄闊浄绲芥禍婵嬫倶韫囨洘鏆柡灞界Х椤т線鏌涢幘纾嬪妞ゎ偅绻堟俊鎼佹晜閼恒儳褰挎繝寰锋澘鈧捇鎳楅崼鏇炵厴鐎广儱鎳夐弨浠嬫煟濡搫绾ч柟鍏煎姉缁辨帡鎮╅崹顐㈡畬闂傚洤顦甸弻銊モ攽閸℃瑥顣洪梺閫炲苯鍘哥紒顔界懄娣囧﹪骞栨担鍝ュ幐闂佺ǹ鏈划灞筋嚕閹惰姤鈷掑ù锝呮啞閹牓鏌涢悢鍝勨枅鐎规洘鍨块獮妯肩磼濡厧骞堥梺纭呭閹活亞妲愰弴銏℃櫖鐎广儱娲ㄧ壕濂稿级閸碍娅呭ù鐘洪哺椤ㄣ儵鎮欓弶鎴犵懆闁剧粯鐗曢湁闁挎繂鎳庣痪褔鎮楀顐ょ煓婵﹦绮幏鍛村川闂堟稓绉虹€殿喚鏁婚、妤呭礋椤掆偓娴狀參姊洪棃娴ュ牓寮插☉姘辩焼闁稿本澹曢崑鎾诲礂婢跺﹣澹曢梻浣告啞濞诧箓宕滃☉銏犲偍闁汇垹鎲¢埛鎴︽煙椤栧棗瀚々浼存⒑缁嬫鍎忛柟鍐查叄閹儳鐣¢幍顔芥畷闂侀€炲苯澧撮柛鈹惧亾濡炪倖甯掗崰姘缚閹邦厾绠鹃柛娆忣槺閻帞鈧鍣崑鍡涘箯閻樺樊鍟呮い鏂垮悑椤撳灝鈹戦悙宸殶濠殿喗鎸抽、鏍箛閺夋寧鐎梺鎼炲労閸撴岸鎮¢悢鍏肩厵闂侇叏绠戝楣冩煕閻旈绠婚柡灞剧洴閹瑩宕归锝嗙槗婵犳鍠栭敃锔惧垝椤栫偛绠柛娑樼摠閸ゅ秹鏌曟竟顖欒閸嬫挻绻濋崶銊㈡嫼闂傚倸鐗冮弲婵堢矓閸撲胶纾奸柣妯挎珪瀹曞矂鏌e☉鍗炴灕缂佺姵绋戦埥澶娾枎閹邦収浠ч梻鍌欐祰濞夋洟宕抽敃鍌氱闁跨噦鎷�...

3D形貌的原始数据是由x/y/z空间数据构造而来的。然后,离线的软件分析使探头形状不再环绕AFM图像并且提取出测量目标相关的重要几何参数, 如深度、 特定区域顶部/中间/底部的线宽、 侧壁角度和轮廓形状、 或表面形貌。

STI刻蚀

浅沟槽隔离(STI)是逻辑、 DRAM|0">DRAM和Flash等硅器件中的一种普通工艺。STI形成晶体管中的活性硅区域和隔离氧化物区域。AFM在STI刻蚀深度、线宽、CD和侧壁轮廓测量方面有着独特的应用。图2展示了与TEM横截面相比典型的AFM轮廓。从比较中可以说明,AFM在表征窄深的STI沟槽全3D几何形状方面取代了冗长和高耗费的TEM,STI沟槽在活性硅区域顶部通常有一层氮化物作为硬掩膜,CD SEM通常很难准确测量从氮化物到硅转换区域的硅的CD。高分辨率的AFM可以扫描出这个转换点,可以在转换位置编程出图象分析,从而计算氮化物底部CD和硅顶部的CD。AFM可以对整片硅片进行快速非破坏性的描绘,而X-SEM和TEM是无法做到的。沟槽侧壁角度(SWA)的微小变化会引起最终图形特征上线宽的巨大变化,AFM为高深宽比的STI沟槽提供了非破坏性及高精度的SWA表征。

鐏忓嫰顣舵稉鎾茬瑹閸╃顔勯弫娆戔柤閹恒劏宕�

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top