论光阻检测重要性，SRM技术为其铺路

对原始变数的相对比例(relative scaling)敏感。

曝光关键因素与验证方法

光微影技术(photolithography)是半导体生产的重要制程，该步骤将在蚀刻之前决定线路的尺寸，因此将决定图样解析度；扫描机中有数个连续步骤，包含涂布光阻、软烤(soft baking)、曝光、曝光后烘烤、显影与硬烤(hard bake)。在扫描机中完成制程后，晶圆则被送往光阻去除与蚀刻。在本论文中采用了使用正向光阻的进阶微影步骤，用以展示SRM的能力。

在曝光步骤中有两个关键因素，其一是焦点，另外一个则是剂量；扫描机使用者通常应以笔直的侧壁来曝光不透光体，因为散焦确实会造成瑕疵。若光阻侧壁角度大于90°，则显影后的光阻可能会崩溃；而若光阻侧壁角度小于90°，则有非完全曝光光阻的潜在风险。若要控制光阻的截面轮廓形状，焦点便是首要因素。图2显示了焦点如何在曝光后影响不透光体。

图1：从光微影技术到蚀刻的简化步骤。

图2:焦点对光阻的影响。

除了形状以外，IC制造商也相当关心线路间距尺寸；尺寸主要由光罩设计来决定，但是UV光的能量则是决定曝光后最终宽度的关键因素。化学放大光阻自从扫描机技术进展到DUV(λ< 248nm)后就获得采用。在DUV曝光之后会生成光酸(photo-acid)，接着在曝光后烘烤时，热度会触发光酸扩散，并进一步放大催化反应。DUV剂量越大会生成越多光酸，导致在曝光后阶段有更多光阻显影。

不受控因素与补偿机制

解析度如下方方程式所示：

焦深(depth of focus，DOF)则如下列方程式定义：

业界由于需要更高解析度来降低印制线路的尺寸，因此希望寻找更短波长与更大数值孔径(numerical aperture，NA)，两种改变皆导致DOF目的的降低；DOF愈低，则在光阻中心获得焦点的难度也愈高。虽然新进的扫描机使用浸润式微影来改善解析度并提高DOF，但是晶圆平面度仍然是个重要议题。

晶圆弯曲有数种原因，包含微影以及先前步骤的温度改变、载台倾斜(tilt chuck)或薄膜沉积变异等，都可能导致某种程度的弯曲。随着DOF缩小，晶圆平面度的变化也成为散焦(defocus)的根本原因。另一个晶圆弯曲的后果是线路与间距无法依预期尺寸进行曝光，如图4所示。

图3：光微影技术的剂量结果。

图4:晶圆弯曲影响线路尺寸。

整个晶圆片的均匀度也是IC制造商的关心重点之一；虽然现代扫描机具备可以侦测晶圆表面的雷射，且具有某些可以更加改善Z位置的机制，但是晶圆整体上仍看得到差异。