智能手机键盘控制器的实现方法介绍与比较

实际应用电路中，"行"、"列"端口电容，包括外加的ESD保护二极管，都参与到充电过程。充电时间长于扫描周期时，有可能发生错误的"按键按下"检测。被误检的按键是当前这个被按下的"列"与紧随的下一个"行"扫描交叉的那个按键。

为了限制充电时间少于13μs同时预留2.625μs进行按键检测，并考虑电流源30%的误差，根据下式，总电容应该小于364pF：



每个端口的电容，包括外置ESD二极管引入的电容，应该少于Cport= Ctotal/3 = 121pF，假设有两个按键，shift和一个常用键被按下。上面的计算考虑了2行和1列端口的电容。当端口电容为20pF时，允许外置电容是101pF.

上述计算方法只适用于被按下的按键属于同一"列"的情况。对于经常会同时按下键，如shift键，可以通过将其定义在独立的"行"、"列"端口来避免端口叠加过多电容的问题。对于每"列"端口单独按下的按键，端口允许的电容是：Cport= Ctotal/2 = 182pF.每个端口的电容是20pF，因此，外部器件的电容可以达到162pF.

结论

低EMI键盘控制器方案已经在智能手机应用中普遍得到认可，相比传统的键盘扫描方案，可以省去EMI滤波器。使用低EMI开关控制器能提升系统的整体性能并降低成本。负载电容的估算也适用于绝大多数手机硬件的键盘电路。但要避免使用负载电容很大的ESD外围器件。