低VCEsat双极结晶体管和MOSFET的比较
时间：02-12
来源：semiapps 安森美半导体 Steve Sheard
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因此可以不提供额外ESD保护, 这可以节约成本。由于BJT的导通电压较低（典型值： 0.7V），因此可以不采用MOSFET通常所需的振荡器与电荷泵电路。BJT在转换中等电流时更加高效。
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