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用有源高压瞬态保护器替代传统的汽车电子无源保护器件

时间:04-12 来源: 点击:

S管一样,根据具体应用的最高稳态直流电压确定可变电阻的钳位电压。然而,当电压高于击穿电压时,可变电阻的VI特性曲线相对于TVS二极管要缓慢得多(图4)。因此,可变电阻相对TVS管会使后续电路承受更高的电压,从而提高了后续电路的器件成本、封装尺寸以及电路板空间。

  通过将钳位电压设置在相对较低的电平,保持尽可能低的过压保护点,又会增大正常工作时的静态电流。标称电压下的静态电流通常高于TVS管,实际效果与具体元件选择有关。

  有源瞬态保护方案

  考虑到以上分立保护电路的诸多缺点,有源保护电路提供了一个更好的选择。对于要求低静态电流、低工作电压并具有电池反接保护和过压保护的方案,可以选择MAX16013/MAX16014¹过压保护/检测电路。

  此类器件的工作原理十分简单(图8)。IC直接监测输入电压,并通过控制两个外部pFET功率开关在故障条件下断开负载的连接。外部MOSFET在 5.5V和所设置的上限电源电压之间导通,上限电压可通过连接在SET引脚的分压电阻调节,范围通常在20V至28V之间。

图8. MAX16013和MAX16014可提供有源瞬态保护功能,直接监测电源电压,当检测到故障时,通过控制两个外部p沟道FET开关,断开负载与故障电源。

  发生故障时,FET P2有两种不同模式。第一种模式下,P2仅仅相当于一个简单的开关,在过压条件下断开开关,从而避免高压对下游器件的破坏。第二种模式下,P2相当于可调节的瞬态抑制器,将输出电压钳制在所允许的最大过压点。

  当输出电压上升到可调节的过压门限以上时,内部比较器将GATE2上拉至VCC。监测电压降低到过压门限以下时,p沟道MOSFET (P2)重新导通。这种处理方式能够使电压稳定在输出稳压值的5%以内。出现瞬态过压时能够保证输出稳定,MOSFET (P2)在过压条件下保持导通,工作在开关-线性稳压模式,从而在提供过压保护的同时维持系统继续工作。

  将SET引脚的分压电阻连接到输入或输出,可以选择相应的工作模式。例如,把分压电阻接VCC (而不是负载),MAX16013被配置成过压关断器件。MAX16014将保持MOSFET (P2)闭锁,直到输入电源重新上电或重新触发EN使能。如果MAX16013长时间工作在限压模式,外部MOSFET的压降会增大功耗。

  图8中的电池反接保护FET (P1,可选)取代了图6中的串联二极管。图8中,正偏时P1导通,可以保持极低的正向压降,出现负压时关断。关闭P2可断开输入与输出的连接(图8和图9),EN 引脚提供相应的关断控制(需要注意的是EN引脚的控制信号由主系统的其它监控电路产生)。因此,当电路处于电池反接保护状态时(P1),下游电路的静态电流可降至最小(典型值< 20µA)。

  有源高压瞬态保护器相对于传统保护方案的优势

  有源过压保护器具备以下几个优势。

  如上所述,分立瞬态抑制器(TVS管或可变电阻)的击穿电压需要高于汽车的最高稳态工作电压(通常26V左右)。发生抛负载时,由于TVS管的内阻以及电流随电压剧增的VI特性曲线,下游电路会在瞬间承受极高电压(大约45V),从而提高了对下游器件额定电压的要求。与传统方案不同,有源瞬态保护器可将输出电压钳位到分压电阻设置的电平(例如26V),也不存在电流随电压剧增问题。这些特性允许用户使用低成本(低电压)的下游元器件。

  该方案不同于普通的浪涌抑制器,传统方案在发生过热之前较短的时间内只能处理几个焦耳的能量,而基于MAX16013/MAX16014的方案能够在发生直流过压时保护器件。有些应用要求工作在标称电压的上限,一旦超过上限电压则断开与电源的连接(以音频系统为例,其工作电压上限通常为17V)。这种情况下使用有源保护器件,合理设置电压限制器/开关的门限可以进一步降低下游元器件的成本。

  用FET取代电池反接二极管,可以将正向导通电压降低到毫伏级水平。特别是在大电流应用中,这一举措可以有效降低功耗,进而降低散热的设计难度和成本。原来二极管消耗的功率(电压)可以供给负载(如,扬声器),而非消耗在二极管上,从而提高输出功率(系统性能)。有些应用要求工作在较低的电池电压(如,汽车冷启动时),同时还要求提供电池反接保护。采用有源保护器件可以使压差降至最小,确保电路工作在较低的输入电压下。

  可变电阻器往往表现出相对较高的静态电流和漏电流,受脉冲电压冲击时会显著影响其使用寿命和精度。用有源保护器件取代可变电阻可以解决这一问题。由于某些应用中可变电阻直接连接到电池上,漏电流较大。这时,可以利用有源保护器件作为主开关,在休眠模式下断开(通过P2 FET)所有后续负载(图9)。

图9. MAX16013/MAX16014用作主开关控制,在ECU关闭时有助于降低静态电流损

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