德州仪器推出 40V 至 100V NexFET MOSFET

最新中压功率 MOSFET 采用 TO-220 封装，包括最低导通电阻 80V 及 100V 器件

2014 年 3 月 24 日，北京讯 德州仪器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET，其支持 40V 至 100V 输入电压，进一步壮大了 TI 普及型 NexFET 产品阵营。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器件，可为广泛大电流电机控制及电源应用提供优异的散热性能。

最低导通电阻
两款最新 80V 及 100V NexFET 器件可在不影响高栅极电荷的情况下，通过 TO-220 封装实现业界最低导通电阻，从而可在更大电流下为设计人员提供更高的电源转换效率。CSD19506 可在高达 80V 的输入电压下支持 2.0 毫欧姆的导通电阻，而 CSD19536 则可在 100V 输入电压下支持 2.3 毫欧姆的导通电阻。这两款产品都采用支持高雪崩性能的塑料封装，支持高应力电机控制应用。此外，设计人员还可通过访问 TI 获奖的 WEBENCH® 在线设计工具便捷选择最新产品，模拟电源设计。

简单易用的评估板
TI 还基于 60V NexFET 产品推出了几款简单易用的评估板，都可通过 TI eStore™ 订购：
• 步进电机前置驱动器：DRV8711EVM 评估板基于 DRV8711 步进电机控制器，与 NexFET 器件搭配，可驱动一个大电流双极步进电机或两个有刷 DC 电机；
• 电机驱动 BoosterPack：BOOSTXL-DRV8301 套件是基于 DRV8301 前置驱动器的 10A 三相位无刷 DC 驱动级，适用于学习无传感器无刷控制技术以及驱动级设计的人员；
• 数字电源：UCD3138PSFBEVM-027 可帮助电源开发人员设计数控移相离线 12V、360W 电源转换器应用；
• 负载点控制：TPS40170EVM-597 评估板支持 TI 具有 2 个 NexFET 器件的 TPS40170 同步降压控制器。

关于 NexFET 功率 MOSFET
TI NexFET 功率 MOSFET 技术可提升高功率计算、网络、工业以及电源的能源效率。这些高频率、高效率模拟功率 MOSFET 可为系统设计人员提供现已上市的最高级 DC/DC 电源转换解决方案。

供货情况
CSD19506KCS 与 CSD19536KCSN 通道器件现已开始批量供货，可通过 TI 及其授权分销商全球网络进行订购。每款产品都采用 3 引脚标准 TO-220 封装。此外，TI 还提供采用无引线 5 毫米 × 6 毫米 SON 封装的 40V、60V、80V 以及 100V FET。