富士通半导体推出基于0.18 μm 技术的全新 SPI FRAM
上海, 2011年7月19日- 富士通半导体(上海)有限公司今日宣布推出基于0.18 µm 技术的全新 SPI FRAM产品家族,包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A这3个型号,并从即日起开始为客户提供样片。
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory 铁电随机存储器)将SRAM 的快写与闪存的非易失性优势集中在一块芯片上。全新的SPI FRAM家族MB85RSxxx包括3个型号:MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A,分别代表256Kbit、128Kbit和64Kbit三个密度级。3个芯片的工作电压范围在3.0 ~ 3.6V,读写周期为100亿次,数据保存在55°C的条件下可达10年,且其工作频率大幅提高到最大25MHz。由于FRAM产品在写处理时无需电压增压器,非常适合低功率应用。该产品提供具有标准存储器引脚配置的8引脚封装,完全兼容E2PROM芯片。
SPI FRAM产品阵容
产品型号 | 存储器容量 | 电源电压 | 工作温度 | 写/擦次数 | 数据保持 | 封装 |
MB85RS256A | 256K bit | 3.0-3.6v | -40-85 | 100亿次 | 10年 | SOP-8 |
MB85RS128A | 128K bit | 3.0-3.6v | -40-85 | 100亿次 | 10年 | SOP-8 |
MB85RS64A | 64K bit | 3.0-3.6v | -40-85 | 100亿次 | 10年 | SOP-8 FRAM独立存储芯片可广泛用于计量、工厂自动化应用以及需要数据采集、高速写入和耐久性的行业。对客户来说,FRAM不仅可以取代所有使用电池支持的解决方案,同时也是一款绿色环保的产品。除 SPI FRAM家族之外,富士通半导体还提供带I²C和并行口的FRAM独立芯片,密度级从16Kbit到4Mbit不等。此外,富士通还计划进一步扩展FRAM组合以满足市场需求。凭借领先的技术开发和完善的制造工艺,富士通半导体不断优化产品设计,并加强与工厂间的密切合作,为向市场稳定地提供高质量产品打下了基础。 关于富士通半导体(上海)有限公司 富士通半导体(上海)有限公司是富士通在中国的半导体业务总部,于2003年8月成立,在北京、深圳、大连、厦门、西安等地均设有分公司,负责统筹富士通在中国半导体的销售、市场及现场技术支持服务。 富士通半导体(上海)有限公司的产品包括专用集成电路(ASIC)、单片机(MCU)、专用标准产品(ASSP)/片上系统(SoC)和系统存储芯片,它们是以独立产品及配套解决方案的形式提供给客户,并应用于广泛领域。在技术支持方面,分布于上海、香港及成都的IC设计中心和解决方案设计中心,通过与客户、设计伙伴、研发资源及其他零部件供应商的沟通、协调,共同开发完整的解决方案,从而形成一个包括中国在内的完整的亚太地区设计、开发及技术支持网络。欲了解更多信息,请访问网站:http://cn.fujitsu.com/fss。 |
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