英特尔美光将推出25纳米NAND闪存芯片

英特尔和美光科技预计将宣布这两家公司将推出全球第一个基于25纳米NAND闪存技术的芯片。这种25纳米的8GB闪存芯片目前还是样品，预计将在2010年下半年之前开始大批量生产。

作为目前应用的最小的NAND闪存技术，25纳米生产工艺与2008年推出的34纳米技术相比将显著减小芯片的尺寸。

这两家公司称，这种新的生成工艺能够在一个只有167平方毫米（能够穿过CD光盘中间的圆孔）的比1便士硬币还小的单个NAND芯片上制作8GB的存储容量。由于这是一种通用的闪存芯片，它可以用于任何需要闪存存储的设备上，如数码相机、MP3播放机和固态硬盘。

Objective Analysis在研究报告中说，由于芯片的尺寸是167平方毫米，一个300毫米加工厂每个晶圆能够生产出400多个芯片。这将使生产成本达到每个芯片大约4美元，或者每GB存储容量0.50美元。由于2009年NAND闪存的价格一直是每GB大约2.00美元，并且似乎在2010年将继续保持这个价格，25纳米生产工艺将给这两家公司带来比目前的34纳米工艺更高的毛利润率。目前34纳米芯片的成本预计是每GB存储容量1.00美元。

美光科内存事业部技副总裁Brian Shirley上周四解释25纳米芯片技术时说，如果人类的一根头发是1英里宽，25纳米技术就相当于21英寸。

这种新的闪存技术大约是容量最大的34纳米芯片密度的一倍，但是使用的芯片是一样大的。这种25纳米芯片支持开放NAND闪存接口2.2标准，吞吐量为每秒200MB。

这种25纳米芯片将由英特尔和美光科技在2006年创建的合资企业IM Flash Technologies生产。这个合作企业在创建时是使用的50纳米生产工艺，现在是第三次减小生产工艺尺寸。 （发布者：chiying）