NXP发布最新一代低VCEsat晶体管其功率损耗可减少80%

NXP Semiconductors|431|1">恩智浦半导体发布了最新一代低VCEsat晶体管，与普通晶体管相比，其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS（小信号击穿）晶体管具有超低饱和电压（1安培时低于60毫瓦）、高电路效率和更低的能源消耗，并能减少便携式电池供电产品（如笔记本电脑、PDA和数码相机）的发热量。先进的BISS双极晶体管还可用于需要低等效导通电阻的工业及汽车领域。

　　华硕公司研发处主任郑庆福表示："卓越的节能性能是华硕科技（ASUSTek）非常关注的一项重要性能，也是我们获得世界首个笔记本电脑TCO’99认证的关键因素。通过与恩智浦的合作，我们有众多高品质BISS晶体管可以选择，并能够以最佳价格成本设计开发各种创新型高性能电脑、通信及消费电子产品解决方案。"

　　第三代BISS晶体管的最大集电极电流为5.8 安培，它使用网状发射极技术降低RCEsat，从而能够提供更高的电流容量以及超低的VCEsat。BISS晶体管可用于提高中等功率DC/DC转换、负荷开关、高边开关（high side switch）、电机驱动器、背光变极器应用和频闪器闪光单元以及电池充电器等多种应用的效率。恩智浦目前大批量生产供应的B
ISS晶体管有120多种。

　　供货情况

　　目前提供三种塑封低VCEsat BISS晶体管：SOT457（六脚）、SOT89（三线、配有确保良好传热性的集电极片）和SOT223（四线、配有更多散热片）。欲了解更多信息，请访问

　　http://www.NXP.com/products/discretes/bipolar_transistors/biss/。