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GlobalFoundries研发7纳米芯片,14纳米来自三星

时间:05-16 来源:DIGITIMES 点击:

GlobalFoundries宣布推出7纳米(7LP)FinFET制程技术,主要应用在高阶手机处理器、云端服务器网路基础设备等领域,目前设计软件已经就绪,预计7LP技术的首批产品将于2018年上半问世,2018年下半正式进行量产。

GlobalFoundries在2016年宣布要展开自研7纳米FinFET制程之路,且为了加快7LP的量产进度,GlobalFoundries也计划投入极紫外光(EUV)技术,7LP技术在量产初期仍是会采用传统的光刻方式,未来会逐步使用EUV技术。

GlobalFoundries的14纳米制程技术是向三星电子(Samsung Electronics)授权而来,7纳米制程世代回到自己开发,未来会在GlobalFoundries纽约Fab8晶圆厂生产。

GlobalFoundries表示,由于晶体管和制程水平的进一步改进,7LP技术的表现远高于最初的性能目标,与14纳米FinFET技术的产品相比,面积建少一半,同时处理性能提升超过40%。

GlobalFoundries的CMOS业务部资深副总裁Gregg Bartlett表示,7纳米FinFET制程技术正在按照计划开发,预期2018年量产,且有多样化产品,相信对客户将有强大吸引力。

在推动7纳米芯片量产的同时,GlobalFoundries也积极开发下一代5纳米技术,先进制程技术不缺席。

GlobalFoundries表示,通过与合作伙伴IBM、三星的密切合作,2015年已经有7纳米制程的测试芯片,近日宣布首款使用纳米矽片晶体管的5纳米的样片,未来会持续探索一系列新的晶体管架构。

GlobalFoundries的14纳米FinFET制程在2016年2月在Fab 8厂开始生产,未来7纳米FinFET制程技术也会充分利用14纳米FinFET制程技术上的量产制造经验。

对于GlobalFoundries宣布投入7纳米制程技术,合作伙伴AMD也表示看好。

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