GlobalFoundries研发7纳米芯片，14纳米来自三星

GlobalFoundries宣布推出7纳米(7LP)FinFET制程技术，主要应用在高阶手机处理器、云端服务器网路基础设备等领域，目前设计软件已经就绪，预计7LP技术的首批产品将于2018年上半问世，2018年下半正式进行量产。

GlobalFoundries在2016年宣布要展开自研7纳米FinFET制程之路，且为了加快7LP的量产进度，GlobalFoundries也计划投入极紫外光(EUV)技术，7LP技术在量产初期仍是会采用传统的光刻方式，未来会逐步使用EUV技术。

GlobalFoundries的14纳米制程技术是向三星电子(Samsung Electronics)授权而来，7纳米制程世代回到自己开发，未来会在GlobalFoundries纽约Fab8晶圆厂生产。

GlobalFoundries表示，由于晶体管和制程水平的进一步改进，7LP技术的表现远高于最初的性能目标，与14纳米FinFET技术的产品相比，面积建少一半，同时处理性能提升超过40%。

GlobalFoundries的CMOS业务部资深副总裁Gregg Bartlett表示，7纳米FinFET制程技术正在按照计划开发，预期2018年量产，且有多样化产品，相信对客户将有强大吸引力。

在推动7纳米芯片量产的同时，GlobalFoundries也积极开发下一代5纳米技术，先进制程技术不缺席。

GlobalFoundries表示，通过与合作伙伴IBM、三星的密切合作，2015年已经有7纳米制程的测试芯片，近日宣布首款使用纳米矽片晶体管的5纳米的样片，未来会持续探索一系列新的晶体管架构。

GlobalFoundries的14纳米FinFET制程在2016年2月在Fab 8厂开始生产，未来7纳米FinFET制程技术也会充分利用14纳米FinFET制程技术上的量产制造经验。

对于GlobalFoundries宣布投入7纳米制程技术，合作伙伴AMD也表示看好。