东芝面向快速充电器推出支持4.5V逻辑电平驱动的100V N沟道功率MOSFET

东京-- 东芝公司（TOKYO：6502）旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布面向快速充电器推出支持4.5V逻辑电平驱动的100V N沟道功率MOSFET，以此扩大其低电压N沟道功率MOSFET的产品阵容。"U-MOS VIII-H系列"的两款新MOSFET分别是"TPH4R10ANL"和"TPH6R30ANL"，产品出货即日启动。

随着快速充电器的普及和发展，市场需要更高性能的用于次级侧整流器的功率MOSFET。这些新的MOSFET利用东芝低电压沟槽结构工艺，实现了业界领先的[1]低导通电阻和高速性能。该结构降低了"RDS(ON) * Qsw"[2]的性能指标，改善了开关应用。通过减小输出电荷，实现输出损耗改善，有助于提高装置效率。而且，对4.5V逻辑电平驱动的支持使控制器IC无缓冲驱动成为可能，有助于降低系统功耗。此外，这些新产品可应对USB 3.0相关应用所需的高输出和高电压电源。新的MOSFET适合于一系列应用，包括服务器和通信设备所需的快速充电器、开关式电源以及直流-直流转换器等。

新MOSFET的主要特性：

主要特性
·支持4.5V逻辑电平驱动

·支持低导通电阻和高速性能的业界领先[1]产品

Notes

[1] In the category of products with the same ratings, as of January 11, 2017. Toshiba survey.

[2] RDS(ON) ：漏源极导通电阻

Qsw：栅极开关电荷