微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 硬件设计 > 行业新闻动态 > 高通在CES 2017上的杀手锏,骁龙835将公布

高通在CES 2017上的杀手锏,骁龙835将公布

时间:11-28 来源:中关村在线 点击:

据外媒报道,近日高通公司在其官方Twitter上发表推文,表示骁龙835的更多信息将在下月的CES2017上进行发布。三星与高通在10nm芯片上的合作此前已经得到了公布,三星执行副总裁兼制造业务负责人Jong Shik Yoon在接受采访时也表示,他们很高兴能够与高通实现紧密的合作。

高通对于骁龙835的进展非常乐观,几个月之前他们就已经表示,这款最新的处理器已经在量产之中。在高通看来,2017年上半年的智能机将会大面积使用这款处理器。许多旗舰机型都会在明年1月-4月期间公开,所以很多人也好奇这些旗舰机中有多少将会搭载骁龙835。

根据早前高通消息,骁龙835将采用10nm八核心设计,大小核均为Kryo架构,大核心频率3GHz,小核心频率2.4GHz,GPU为Adreno 540,支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存,整合了Cat.16基带。

高通方面还透露,骁龙835处理器还将支持全新的Quick Charge 4.0快充技术。其充电5分钟可以延长手机使用时长5小时,充电效率比之前增加30%。高通表示搭载骁龙835会在明年初出货,但要到明年二季度才能看到骁龙835手机。

更多最新行业资讯,欢迎点击《今日大事要闻》

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top