3D NAND Flash竞争力大提升，新构造这么给力？

Cell on Peripheral Circuit(以下简称Cell on Peri)构造由美光(Micron)与英特尔(Intel)阵营开发，采用将3D NAND Flash晶胞(Cell)阵列堆叠在周边电路CMOS逻辑IC上的方式，以缩减采3D NAND Flash解决方案的晶片面积。DIGITIMES Research观察，三星电子(Samsung Electronics)已提出类似此一构造的COP(Cell Over Peri)方案，将有利整合元件厂(Integrated Device Manufacturer；IDM)三星、东芝(Toshiba)提升其3D NAND Flash竞争力。

然而，Cell on Peri构造将原先在不同制程制作的3D NAND Flash与逻辑电路结合于单一制程，虽有其优点，但尚存诸多课题，包括相关产线与设备需延伸、扩大，将导致业者的资本支出增加，且3D NAND Flash经高温制程后，恐因高温而破坏下方CMOS电路，将影响良率。

由于三星同时生产3D NAND Flash与逻辑电路，如Cell on Peri构造能克服良率与成本等问题，可望成为其争取苹果(Apple)应用处理器(Application Processor；AP)订单的优势，而东芝半导体事业涵盖3D NAND Flash与系统LSI，美光与英特尔阵营亦可结合双方3D NAND Flash与CPU，运用Cell on Peri构造，有助其提升3D NAND Flash竞争力。

另外，3D NAND Flash若引进Cell on Peri构造，由于在形成周边区域后，需经过化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing；CMP)制程使之平坦化，才能于其上形成3D NAND Flash晶胞阵列，将使得CMP制程的重要性提高。

美光与英特尔阵营于3D NAND Flash所开发的Cell on Peri构造

资料来源：美光、英特尔、南韩NH投资证券，DIGITIMES整理，2016/6