打入iPhone 7s，三星UFS2.0闪存芯片有啥神奇

三星Galaxy S7可谓是Android手机中性能最好的机型之一，其中一大重要原因便是该机搭载了三星最好的UFS闪存芯片，其速度要比其它智能手机以及大多数计算机的存储芯片快得多。而基于三星先进的V-NAND闪存芯片，UFS存储技术也将大幅提升iPhone的性能。据外媒报道，尽管三星和苹果在iPhone 5发布时就达成了存储芯片的交易，不过三星的UFS芯片最早要等到明年才能运用在iPhone上，也就是说iPhone 7的存储性能难以与Galaxy S7匹敌。

iPhone 7s有望用上三星UFS2.0闪存芯片

韩媒ETNews在报道中表示，三星将在不久的将来向苹果供应NAND闪存芯片，而iPhone 5之后的机型之所以没用上三星UFS芯片的原因则是因为三星不同意苹果的生产要求，当时苹果要求使用在NAND闪存芯片封装中使用EMI电磁屏蔽技术。

ETNews透露，三星当前正在与合作商共同打造自家的EMI芯片屏蔽外壳，这意味着iPhone最早将在明年开始用上三星的UFS芯片。另据消息，其它供应商也在寻求向苹果供应基于EMI屏蔽技术的NAND存储芯片，比如海力士就拿出了和三星类似的解决方案。

值得一提的是，三星在Galaxy S7系列发布前推出了256GB的UFS芯片，由此看来未来的新款iPhone和iPad有望加持。