前台积电技术长获选美发明家学会院士

美国加州大学柏克莱分校今天宣布，电机工程与电脑科学研究所台裔教授胡正明，曾担任台积电技术长，因半导体领域的特殊专长与贡献，获选为全美发明家学会院士。

美国加州大学柏克莱分校（UC Berkeley）发布新闻稿说，入选全美发明家学会（The National Academyof Inventors）院士的胡正明，发明体积更小、更可靠又高性能的积体电路，他的重要发明包括鳍式场效电晶体（FinFET），对半导体产业的影响深远。

此外，胡正明研发的BSIM系列微晶体管模型，已成为国际标准，广为全世界IC公司采用，已经成为当今全球模拟微型电路的标准模型，随后创造数十亿美元微晶片的商业价值。

与胡正明同时入选院士的另两位柏克莱分校教授，分别是莱恩（Jasper Rine）与莱特（Paul Wright），他们是分子细胞生物与机械工程的专家。