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安森美半导体与ICs LLC合作开发用于军事及航空应用的抗辐射加固ASIC

时间:10-20 来源:3721RD 点击:

安森美半导体(ON Semiconductor)与ICs LLC达成授权/开发协议,将能够抗辐射的专用集成电路(ASIC)推向市场。通过这协议产生的抗辐射加固设计(RHBD) ASIC将基于安森美半导体的ONC110 110纳米(nm)工艺,用于ASIC设计及生产。引入RHBD ASIC扩展了公司包含遵从国际武器贸易规章认证(ITAR)、美国国防微电子业务处(DMEA)可信供应商认证及DO-254支援的军事及航空产品阵容。

辐射测试已经显示这些ASIC在遭受超过100 MeVcm2/mg的线性能量转移(LETs)攻击时具备强大的抗单粒子翻转(SEU)及抗单粒子闭锁(SEL)性能,而双端口静态随机存取存储器(SRAM)提供40 MeVcm2/mg的抗双位翻转(DBU)性能。此外,还引入了新颖的RHBD触发器(flip flop)架构,称作自修复逻辑(SRL)。这SRL触发器已经显示出在高达700兆赫兹(MHz)频率时抗单粒子效应的强固性。这些新RHBD IC的首要目标将是高可靠性应用,如太空探索、卫星通信及监控、航空、无人飞行器(UAV)、商用飞机、核能、粒子物理研究及军事装备。

ICs LLC首席执行官(CEO) Joe Feeley博士说:"随着业界迈向更小半导体工艺结构,减轻辐射效应正成为一个日益重要的问题。用于抗SEU的传统RHBD方案并没有为高速电路提供充足的保护,SRL方案则提供充足保护。安森美半导体是解决这重要问题的唯一方案供应商,使客户能够为重要的实时应用生产容错型ASIC。"

安森美半导体军事/航空、数字及定制代工副总裁Vince Hopkin说:"得益于与ICs LLC达成的这影响深远的协议,安森美半导体能配合我们客户的要求,提供拥有更大数量逻辑门及更小几何尺寸工艺技术的ASIC,同时还针对因暴露在辐射环境下导致的故障提供充沛保护。结合我们的可信供货源身份及提供高度安全之开发流程能力,增添RHBD于产品阵容表示我们处在极有利的位置,能够服务多种多样的航空、军事及太空项目,而这些项目中非常讲究数据及知识产权(IP)的完整性。"

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