Intel 14nm大剖析：是骡子是马，显微镜下看看

Intel 14nm是这个星球上迄今最先进的半导体工艺，小编在拿到几台Core M笔记本后也迫不及待地拆开，将处理器放到了显微镜下进行观察分析。

经过处理后得到的侧视图，因为放大率比较高所以有些模糊，但依然能够数出10个接触栅极，总间距699nm，每两个之间约为70nm。

晶体管鳍片。20个之间的间距是843nm，每两个之间42nm。

都完美符合Intel的宣传。

横切面照片。65nm节点引入的厚金属顶层依然在，而且现在其下已经堆到了13层！以及一个金属绝缘层。

边封没有金属层和绝缘层，可以很轻松地数出12层。上一代22nm还只有9层，Bay Trail则是11层，但最多的来自IBM 22nm Power8，15层。

Intel说互连间距是52nm，但实际量了一下是54nm，在误差范围内，但也可能观察的不是最紧密的部位。

更深入的透射电子显微镜观察正在进行中，届时将看到晶体管和鳍片。这是Intel官方给出的图像。就目前看到的而言，Intel 14nm很大程度上就是22nm的缩小增强版，结构设计并未做太大变动。