TI采用新型“金刚狼”MCU平台可使MCU总功耗锐减50%

FRAM

SRAM

EEPROM

闪存

非易失性

可在没有供电的情况下保存数据

有

无

有

有

写入速度(13kB)

10ms

< 10ms

2 秒¹

1 秒

平均运行功率 (μA/MHz)

110

< 60

超过 50mA ^1,2

260

可写入次数

100 万亿次以上

无限制

10 万次

1 万次

动态

可按位编程

是

是

否

否

统一存储器

灵活的代码与数据分区

是

否

否

否

1 －独立型 EEPROM 写操作

2 －总功耗

FRAM、SRAM 和闪存的数据代表了器件内部嵌入式存储器的性能

与此截然不同的是，FRAM 的写操作只需要 1.5 V 电压。再加上其写入速度是闪存的 100 倍，因此实际的写操作能耗下降了 250 倍。另外，由于在 FRAM 操作期间中断可以运行，所以还能在不增加编程复杂性的情况下保持系统可靠性。

看看非易失性存储器在汽车信息娱乐系统中的使用情况，FRAM 与闪存的效率对比便能一目了然。当汽车断电时，需要收集和存储多种系统数据，以便能够在汽车重新通电时复原。在系统所保存的这些数据当中，包括了驾驶者和乘客设定的温度值、收音机预设电台、GPS 位置和收音机音量等。

由于汽车并不知道其电源将在什么时候被切断，因此必须使用一个电容器并在汽车通电时对其进行充电。在写入数据的过程中，该电容器负责为闪存和 MCU 供电。需要保存的数据越多，电容器就越大。此外，闪存相对较慢的写入速度对于所能保存的数据量也有影响。

在采用相似电容器的情况下，FRAM 可凭借其高写入速度和功率效率实现 900 倍于闪存的数据存取量。这使得开发人员能够采用较小（而且较便宜）的电容器，设计不太复杂的系统。写操作能力上的这种巨大差异可造就一种全新的低功耗应用，包括那些需要实时数据录入和/或采用能量收集技术的应用。而且，较快的写操作能力还意味着系统可以在更长的时间里处于睡眠模式。

不过，使用 FRAM 也会影响系统的设计方法。闪存的写寿命有限（可写入次数约 10 万次），之后可靠性将开始下降。故此，系统参数常常仅在系统断电时保存到闪存中。而 FRAM 实际上没有限制的写寿命（可写入次数约 100万亿次）则可使开发人员重新考虑其存储系统参数的方式。具体来说，就是可以把所有的数据早早存储在非易失性 FRAM 中（即使在其经常变化时也不例外），而不是把参数存储在 SRAM 中并在断电时保存