旺宏推出4x奈米以下高速串列式NOR flash

旺宏推出Quad 4x75MHz DTR技术、600Mb/s传输速率的高速串列式NOR，可简化嵌入式市场平台PCB布线与降低成本；同时在面对浮闸设计的NAND Flash濒临制程上极限之际，旺宏也对正在研究中的新世代记忆体如PCM(相变化记忆体)、RRAM(电阻式记忆体)提出他们的看法…

旺宏电子资深产品行销经理Ralf Kilguss指出，目前Flash分NAND与NOR两大类。前者以高容量见长，但是当制程微缩到2x奈米以下时可靠度开始变差，像是Bad Block与ECC位元数增多；而NOR Flash若以3xnm制程可做到单颗2~4Gb容量，因此当NOR制程微缩到4x奈米以下，将吸引并抢占低密度NAND的市场。他引用旺宏市场分析，预估到2014年Serial NOR市场总值达17亿美元，Parallel NOR达12亿美元，而SLC NAND仅11亿美元。
他指出许多汽车电子、仪表上呈现的2D/3D图形、动画与视讯，急需快速读取效能的NOR Flash，且快速可程式化的NOR Flash可使系统快速从深度睡眠模式下快速启用。Serial NOR持续增加输出速率与容量，获得工控、网路与汽车电子应用，将促业界从Parallel NOR与SLC NAND的采用出现转移，以节省I/O组件的成本，2011年Serial Flash占NOR Flash出货比重达65%，到2013年将进一步! 提升到77%。

NOR/NAND技术上的差异与NOR Flash产品趋势

Ralf Kilguss进一步阐述NOR Flash与NAND Flash在技术上的比较。两者都是浮闸电晶体装置的设计，NOR Flash每一个Cell有独立的Word Line、Bit Line与 Souce Line(源极线)，NAND Flash一个Floating Gate最多串32个Cell串成一组，每一个Cell只有一个Word line，不是每一个Cell都有Souce Line与Bit Line，因此NAND Layout比较简单，密度也相对提高，平均每个Cell仅4F2；NAND Flash比较接近Serial介面，储存在NAND Flash的程式码，需要将程式码复制到DRAM/SRAM才能执行，此外NAND Flash读写特性是读取慢、