携手共进:ARM联盟深耕32nm/28nm SoC领域
时间:09-20
来源:与非网 周方
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在32nm之前,伴随着开发板尺寸的减小产品的整体性能是处于一种提升状态,这也是许多厂商着力追求产品更小尺寸、更小封装的原因之一,更是推动封装工艺从180nm、90nm发展到当今的45nm、32nm的关键因素。"然而,到了32nm,人们却发现产品性能并非一直和板子尺寸成反比。随着多种元器件更加紧密的排列在一起,器件之间的漏电现象越发严重,甚至影响到封装技术的进一步发展。但是用户对于电子产品更低功耗、更小尺寸的需求却在日益增长,怎么样在板子尺寸大小与性能上再做突破,成了摆在所有供应商面前的一道难题",ARM公司中国区总裁谭军在近日的媒体见面会上如是说。
于是,以IBM、ST、三星为首的多家半导体组成的联合开发团队通过探索研发,发现通过采用high-k metal-gate (HKMG)技术取代原有的多硅产品能够很好的解决器件间的漏电问题。HKMG技术打破了历史上关于扩展的障碍,通过利用新材料科技的创新,大大提高了在功耗和性能方面的优势。这个技术可用于众多嵌入式领域,包括移动产品、便携产品和消费电子产品。
32nm HKMG技术优势 10月9日,IBM、特许半导体制造有限公司、三星电子有限公司以及ARM公司联合宣布:将在high-k metal-gate (HKMG)技术的基础上开发一个完整的32nm和28nm的片上系统(SoC)设计平台。此外,ARM公司还宣布将利用Common Platform HKMG 32nm/28nm技术独特的特性,开发定制化的物理IP,以实现ARM® Cortex系列处理器在功耗、性能和面积等方面的优化。
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