NEC公司提出40-nm嵌入式动态随机存取存储器技术

日电电子公司（NEC Electronics Corp.）及其美欧分公司NEC Electronics America和NEC Electronics (Europe) GmbH，在今天推出了两项新技术，这两项技术是关于采用嵌入式动态随机存取存储器技术进行40-nm的系统级芯片的制造。

今天的新闻距NEC首次公布55-nm的eDRAM|0">DRAM已经过去14年的时间了。

时钟速度高达800MHz以及低负载功率是UX8GD eDRAM技术引以为豪的地方，因此，这项技术有针对性的应用在消费性电子产品中。

同时，UX8LD eDRAM技术的主要特点是很低的漏电流，从而使功率的损耗比同等SRAM的功耗较小了三分之二，正是由于这个特点，这项技术有针对性的应用在移动电话和其它便携式设备上，NEC公司说到。

这两项技术将40-nm的CMOS|0">CMOS处理技术和NEC电子eDRAM处理技术结合在了一起，并且将可用的内存配置增加到了256M。芯片孔径尺寸为0.06平方微米，比公司之前提出的55-nm UX7LseD eDRAM的小了50%，从而使整个芯片的尺寸减小了50%。

这两项40-nm的新技术采用了高介电常数材料的杠杆效应，如铪栅介质，镍硅栅介质和镐氧化物DRAM电容器，这些材料作用已经在NEC公司的55-nm UX7LseD技术中得到了证实，NEC公司说，这些材料降低了通道中的杂质和寄生电阻浓度，从而可以将低在漏极和源极之间的漏电流，延长了数据存储时间，减少晶体管性能的变化以及增强了逻辑和存储方面的性能。

NEC公司已经在10月份开始55-nm eDRAM样品的出货，并且计划在这个财政年度底（2008年12月31号之前）开始批量生产。而40-nm设备的批量生产将在下一个财政年度地开始进行，生产线选在NEC Yamagata制造分公司的300mm硅片生产线。

NEC公司的eDRAM已经应用在任天堂的游戏系统中了。