东芝新技术将NAND闪存寿命提高百倍

9月29日消息，据外电报道，硬盘厂商东芝显然找到了解决固态硬盘最头疼的问题的答案。NAND闪存芯片有写入次数的限制，因此在使用寿命方面明显低于机 电硬盘。但是，据nikkei.net网站报道，东芝有一项内部设计能够把NAND闪存的写入覆盖次数提高100倍。

东芝采用的这种设计是把数据写入DRAM内存，而不是直接写入到NAND闪存，特别是对于目前经常写入到硬盘的那些数据。DRAM内存中存储的数据在关机前将被传送到NAND闪存。

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全球NAND闪存芯片市场前景堪忧

据市场调研机构IDC最近表示，今年与明年NAND闪存芯片市场的前景令人担忧。

　　IDC表示，由于推动需求增长的因素显著匮乏，存储芯片制造商都在拼命的扩展产能，预期今年全球NAND闪存市场的规模将减少17%，激烈的竞争将导致价格下降，这一趋势可能蚕食闪存市场的规模。

　　到2007年，预期全球NAND闪存市场规模仅增长3%。经过上半年认真的调整后，到明年晚些时候较低的价格和手机的需求将使NAND闪存市场重新平衡。一些关键的运营商将转向有利可图的DRAM产品。

　　预期在2006年至2010年期间，NAND闪存市场销售收入的年复合增长率将达到14%，NAND闪存芯片需求年复合增长率将达到96%，但价格将下降42%。

　　数码相机和MP3播放器可能取代手机是推动NAND闪存需求增长的关键。到2010年，SSD 和 NAND缓存将开始影响市场。

　　另一家调研机构Gartner表示，由于苹果公司发布的iPod数字音乐播放器销售疲软和NAND闪存价格一路走低，它把今年全球NAND闪存市场的规模削减了15亿美元。并预期明年全球NAND闪存市场将十分萧条。