旋转力矩转移存储器——通用存储器？

如果人们要根据那些对存储器技术进行长期投入的行业巨头们的投资额度来对新兴的存储器技术排座次的话，那么赢家无疑是旋转力矩转移（STT）磁性存储器。STT是通过调整流经隧道磁阻单元的电子的旋转角度来写入数据的。STT通常被认为是一种低功耗技术，并且许多人认为其在商业化的道路上将体现出比其他的新兴存储器技术更好的可扩展性。

现今正在发展过程中的每种新型存储器技术都具有独有的性能特性，使其比其他的技术更适用于某些应用领域。STT的拥有最接近于动态随机存取存储器（DRAM）和固态硬盘驱动器（SSD）的性能，这两种应用目前需要最高的存储器容量。这种最终取代上述两种成熟技术的设想将导致"通用"存储器的诞生。

Grandis是美国STT研发领域最具代表性的厂商。成立于2002年的Grandis有限公司拥有STT随机存取存储器（RAM）技术的多项专利，涉及范围从STT-RAM的基本原理到其具体实现方法。STT-RAM技术既可以应用于嵌入式存储器也可应用于独立设备中，这就扩展了其应用潜力。Grandis已经收到了来自美国自然科学基金（NSF）大约70万美金的研究资助，并获得了1500万美元的风险投资。IBM同样也在独立地进行开展一项STT的研发项目，并在去年于旧金山举办的国际电子器件会议（IEDM）上发表了一篇关于4kbit测试器件的文章。

尽管现在讨论商业化STT存储器设备是否能被广泛接受还为时尚早，但就那些致力于这项技术的厂商来说，STT技术已被广泛采纳。并且，美国以外的地区也对STT非常感兴趣。

Grandis和日本的Renesas公司早在2005年底便公布了一项在65纳米工艺下的基于STT的磁性存储器合作开发项目。Renesas打算将这项技术整合到微控制器和片上系统（SoC）产品当中。2008年4月，韩国的海力士（Hynix）和Grandis宣称他们两家已经签署了一份关于在存储器中加入Grandis的旋转力矩转移随机存取存储器的专利和知识产权的长期许可协议。这份协议同时也包含了在海力士的未来存储器产品中集成Grandis的STT-RAM基础技术的内容。

在Grandis和海力士签署协议的两个月后，三星（Samsung）和海力士宣布将合作开发STT-RAM芯片。

三星和海力士的合作可能得益于韩国商业工业能源部的与2004年开始持续到2011年7月的一个计划。该组织开展了一项针对未来存储器技术的三重资助计划。此项计划预计初期提供约2500万美元来资助如STT-RAM以及其他各种非易失性存储器设备项目。

同时，法国厂商Crocus在十月份宣称已经与Tower公司合作完成了其旋转力矩转移磁性存储器的研发。Crocus的STT-MRAM是在位于格勒诺布尔的Spintec实验室(一家隶属于法国原子能委员会<CEA>和法国国家科研中心<CNRS>的研发中心)中设计的。Crocus希望这项技术能够支持独立或嵌入式芯片在电信，网络，存储，计算以及手持等广泛邻域中的应用。

去年11月的一条修正的新闻稿中重申了韩国政府的这项原始计划。知识经济部称，"这个项目号召政府与三星电子以及海力士半导体在开展研发上进行合作以制造书世界上首个旋转力矩转移磁性存储器设备。" 新闻稿接着谈到"三星和海力士正在为率先制造出STT-MRAM芯片与日本厂商展开竞争。"韩国政府的这项举措可能是对NEC在前一个月宣布其开发能够将写入电流降至0.2毫安或以下的"旋转力矩领域的墙置换写入方法"的回应。

尽管STT存储器的需求量显然还没有资格成为"通用存储器"，但是就对其的投入和开展项目来说，这一称呼确实是不属于空穴来风。

发布者：博子