RIC宣布提供采用最新FBGA 封装的4兆位 (Mb) F-RAM存储器

非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA 封装的4兆位 (Mb) F-RAM存储器。FM22LD16 是采用48脚FBGA 封装的3V、4Mb 并口非易失性FRAM，具有高访问速度、几乎无限的读/写次数以及低功耗等优点。FM22LD16 与异步静态 RAM (SRAM) 在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。此外，Ramtron 亦提供采用44 脚 TSOP封装的4Mb并口F-RAM产品。

Ramtron 市场拓展经理Duncan Bennett解释道："FM22LD16 可让系统设计人员以相同的占位面积提供多四倍的 F-RAM 容量，这种新型 4Mb FBGA封装选择对于电路板空间受限的 RAID 控制器和工业 PC制造商别具吸引力。而 FM22LD16 无需电池，和具有更小的存储器占位面积，是市场上空间效率最高的非易失性RAM产品。

产品特点

FM22LD16 是256K×16 的非易失性存储器，采用工业标准并行接口实现存取，存取的时间为55ns，而周期为110ns。该器件以 "无延迟" (No Delay) 写入的总线速度进行读写操作，耐久性至少为1E14 (100万亿) 次写入并提供10年的数据保存能力。

这种4Mb FRAM 是标准异步 SRAM 完全替代器件，但其性能却优越很多，因为它在进行数据备份时不需电池，而且还具有单个芯片方式的固有高可靠性。FM22LD16是真正的表面安装解决方案，与电池供电的SRAM不同，它无需电池连接的返工步骤，而且具有很高的耐潮湿、抗冲击和振动特性。

另外，FM22LD16 备有便于与现今高性能微处理器相连的接口，兼具高速页面模式，能以高达40MHz的速度进行4字节 Burst读/写操作，这比其它非易失性存储器的总线速度高出很多。该器件的工作电流更低于类似密度的其它非易失性存储器，读/写操作时为8mA，而在待机模式下仅为90µA。FM22LD16在整个工业温度范围内 (-40℃至+85℃) 于2.7V至3.6V电压工作。
价格和供货

Ramtron 现已提供FM22LD16的工程样件，采用符合RoHS要求的48脚BGA封装，小批量订购的起价为23美元。

关于Ramtron International

Ramtron International 总部设在美国科罗拉多州Colorado Springs市，是专门设计、开发和销售专用半导体存储器和集成半导体解决方案的无晶圆厂半导体公司，产品广泛用于各种应用和全球市场。要了解更多信息，请访问公司网站www.ramtron.com。如需根据私人证券法1995年修订案，"安全规避"声明如下：还不是历史事实的声明是可能涉及风险和不确定性的"前瞻性声明"，包括(但并不仅限于)全球经济状况的影响、供应和需求的变化、市场的接受程度、从设计转为实际客户订货和销售的比率、竞争产品和定价的影响、产品开发、商业化和技术上的困难，以及产能和供应的约束。欲进一步了解所涉及的这些风险，请参考Ramtron提交给证券交易委员会(SEC)的文件。