几斤几两？英特六核大评测

通过之前的新闻，我们对Intel最新的32nm六核处理器性能有了一定的了解（参考：超强24线程! Intel 32nm六核性能曝光），不过上面文章中的测试环境为服务器主板，并采用双颗六核对比Xeon，测试项目较少，对我们玩家而言没有任何意义，不过今天文章中所测试的为单颗六核Gulftown搭配X58来进行比较完整的测试，让我们可以近距离的了解下代Intel最强处理器的威力。之前一直有消息表明：这颗最新32nm六核处理器Gulftown将会命名为Core i9，但现在看来可能依旧沿用i7系列，预计将会在明年第二季度发布。

目前，这款核心代号为「Gulftown」基于全新32nm的Intel处理器已经准备就绪，尽管在微架构上没有大幅改动，但在32nm工艺的辅助下，凭着工艺上的进步，在相同的芯片大小下能容纳更多的物理核心，而且核心频率提升空间又进一步扩大，同时功耗表现也得到改善。Intel计划于2010年第二季中推出首款六核心DT处理器，香港著名IT网站HKEPC首先抢先找来了号称全港首颗Gulftown六核心工程样本，并与Bloodfield四核处理器作了详细的对比测试：

1、回顾Nehalem架构处理器的技术进步

为拉开与对手之间的技术距离，2006年下半年Intel宣布推出全新规则律动工艺年与架构年（Tick-Tock）的发展战略，于每年推出新处理器技术时，皆具备改良微架构的全新制程，全新或大幅改良的微架构设计，以迎合未来十年甚至更远的处理器市场。每个代表推出具有增强微架构的新一代矽制程技术，与代表推出全新微架构，而每个工艺年/架构年周期大约为2年。

按照Tick-Tock规划，Intel在去年第四季发布了代号为Nehalem全新微架构处理器，这名字来自美国俄勒冈州波特兰市的一个小小的卫星城，它是基于Core 微架构作出大幅改良，加入了更多有关提高性能，节能控制，多处理器扩展能力以及效能均衡的设计，主要分为运算内核及非运算内核部份：

运算内核改动方面：

1.再次加入HT技术，第三代超线程技术，可让四核多达8个线程。

2.支持VT虚拟化技术，增加虚拟化输入/输出设备，并提高虚拟机效率。

3.加入Turbo Mode ，在相同功耗下，提升较简单线任务的执行效率。

4.新增SSE 4.2指令集，提升XML 、字串及文本处理能力。

非运算核心改动方面：

1.采用了三级缓存设计，二缓采用了超低延迟设计，而三缓采用共享设计。

2.内建内存控制器，3通道设计并支持DDR3规格，频率提升最高达3倍。

3.全新QPI取代传统的FSB，最高可达25.6GB/s带宽。

4.模块化设计，可按需要新增及减少核心元件，以迎合不同市场。

2、改良Nehalem架构，全新32nm处理器

Nehalem微架构是最近的一次架构年改变，当然紧接着即将登场的是下一代工艺年的改变 ，具备改良的微架构的全新制程，代号为Westmere的32nm处理器，基本上它的架构沿自Nehalem处理器并加入了7条全新的指令，但改用了入第二代high-k的32nm制程，采用全新的193浸没式微影技术于重要的金属层并配搭193nm或248nm干式微影技术于非重要的金属层，处理器采用9层内部连结层，并辅以无铅和无卤素封装，而芯片尺寸将约为45nm产品的70%而已。

据Intel总裁Paul Otellini指出，全新32nm不仅有效降低所需功耗，同时也能提升核心频率，而且也缩小处理器核心面积，令处理器能容纳更多的运算核心或者内置GPU核心、PCI-E接口及内存控制器，并且令芯片组简化为单芯片，可进一步缩小PC体积，可切换GPU支持功能，能在内置显示核心及独立显卡之间作出实时切换，达至节能省电效果。

为迎接32nm工艺的来临，Intel将会把美国制造设施升级，采用新一代32nm芯片技术，2009至2010年间，预计投入约70亿美元于32nm工艺技术上，美国境内32nm工艺投资总额，在该期间内将达到约80亿美元，并可提供7000个工作岗位。现时位于Oregon的Fab D1D已经在试产32nm处理器，同样位于Oregon的Fab D1C将会于2009年第四季正式投产32nm制程，紧接位于Arizona的Fab 32及New Maxcico的Fab 11X ，将会于2010年完成32nm制造设施升级，预计将会于2010年下半年进行制程世代交换。

根据Intel处理器最新规划，32nm Westmere处理器将会于2009年第四季开始量产，核心代号为Clarkdale的32nm入门至主流级处理器，将会于2010年第1季初出货，紧接2010年第二季中推出代号为Gulftown的32nm高端六核处理器，2010年第四季将会再推出全新微架构的32nm处理器代号Sandy Bridge，延续工艺年发展战略。 3、改良45nm High-K + Metal Gate电晶体技术

2007年Intel首次在代号为P1266的45nm工艺中使用上High-K配搭Metal Gate技术，令芯片漏电情况大幅降低，因此Intel 45nm处理器在功耗及发热表现上，拥有很高水平，而直至目前为止，也只有Intel把45nm High-K + Metal Gate电晶体技术用于量产之中。由于High-K材料配搭Metal Gate电晶体技术带来优秀表现，Intel 45nm研发至量产是Intel历史中最快完成的，所需的研发时间仅为65nm的一半。

代号为P1268的全新Intel 32nm工艺，主要基于现有的45nm High-K + Meta Gate电晶体技术，并作出了大幅度的改良，包括High-K的等效氧化层厚度，由45nm制程的1nm降低至32nm制程只有0.9nm，并且闸极长度缩少至只有30nm，闸极距离继续以每两年缩少0.7x的目标发展中，Intel的32nm是现时所有相同制程中其闸极距离最窄小的。