内存芯片似已触底 预示半导体产业复苏

内存芯片的景气循环似乎已触底。对空前衰退的半导体产业而言，堪称景气回春的关键讯号。

　　内存芯片仅占全球半导体业 2600 亿美元产值的 14%，却是产业表现的领先指标，主因其应用范围广泛，且难以区隔差异。2007 年初揭幕的内存产业寒冬，即预示了去年半导体业的大麻烦；金融海啸引发全球经济衰退，则进一步恶化半导体危机。

　　好消息是，全球二家最大记忆芯片制造厂－－Samsung Electronics Co. (三星电子) 与 Hynix Corp. 上周五同时公布首季财报，芯片相关损失均比前一季低。

　　市研机构 iSuppli 分析师 Nam Hyung Kim 说，从第 1 季状况来看，有足够的理由相信记忆芯片市场已至谷底。他强调，从现在开始将进入复苏阶段，当前的问题是，制造业者还要一段长时间才能复原。

　　2002-2007 年为记忆芯片业最长的一段荣景。超高的获利激励业者扩张产能，却开始于 2007 年初大幅压缩价格与获利，PC 等数字产品的需求成长也逐步放缓。

　　自 2008 年初起，小型记忆芯片业者转盈为亏。但了年底，强如 Samsung 等产业标竿也无利可图。

　　厂商遂逐步减产以平衡供需，目前产能远低于颠峰水平。即便如此，Nam Hyung Kim 日前预估，假设所有台厂停产─占全球 DRAM 产量 25%─还是供过于求。

　　另一个景气回春的讯号是，过去 6 周 DRAM 的现货价格大幅飙升。根据集邦科技报价，上周五 (24日) 主流 1Gb DRAM 芯片价格来到 1.21 美元，较 3 月 11 日低点的 0.75 美分上涨 61%。

　　但部份业界人士示警，在需求水平尚未确立的前提下，价格上扬可能促使业者重启闲置产能，进而再度引发公司失衡，导致价格回落。

　　为了持续平衡市场供需面，DRAM 业者大多准备删减资本支出。分析师预估，今年 DRAM 相关资本支出将下滑至 40 亿美元左右，远低于去年与前年的 110 亿美元、220 亿美元；NAND 支出则估计为 30 亿美元，相较于去年与前年的 80 亿美元、110 亿美元。

　　Hynix 上周五即表示，将至少搁置订购设备计划至 6 月；Hynix 则说，还没决定今年的资本支出金额。

　　Hynix 第 1 季净损 1.18 兆韩元，金额虽较去年第 4季缩小，但远高于去年同期的 6750 亿韩元。Samsung 首季芯片部门的营业亏损缩小至 6700 亿韩元，但营业亏损率因营收下滑而扩大。