基于晶体的全息存储系统即将投入商用

更多新一代的开发人员已经转向其它介质。例如，从贝尔实验室分离出来的InPhase Technologies公司就采用一种双聚合化学混合物，这种混合物涂覆在磁盘上，模拟磁光存储介质的大小和形状。InPhase公司首席技术官Kevin Curtis在Northrup花了差不多七年时间、在贝尔实验室花了六年半时间来研究全息存储技术，其中大部分经费由美国政府提供。他曾指出，研究人员在90年代中期就开始确信：将铌酸锂作为一种全息存储介质纯粹是"浪费时间"，铌酸锂根本就不具备商业用途所要求的感光度或动态范围。不过，AON的Gladney则认为，目前激光及其它技术的发展，已经使基于晶体的全息系统成为可能。

图1：全晶体存储某些研究人员曾质疑铌酸锂的价值。

AON预计，通用全息存储系统和特殊应用CHDS系统将出现广泛的应用基础。Gladney指出，潜在客户包括需要大量存储和事务处理的机构，如智能、安全或金融机构；内容提供商，如Google和Yahoo；以及需要坚固耐用存储介质的军事和航空领域。"网络连接存储器(NAS)具有广阔的市场机会，就像无线领域那样，我们的技术可以应用于上述每个领域。"他表示。

技术组合

全息存储技术虽然已经出现了40多年了，但其商用化不过是最近的事情。InPhase Technologies公司的全息介质和300GB HDS300R系统都是借助"其它技术的点点滴滴"来实现的，iSuppli公司存储技术高级分析师Mark DeVoss指出："所有部件的累加使得硬件成本非常高，因而极大限制了其市场发展。"

InPhase的Tapestry HDS-300R售价为18,000美元。初期，使用者通常会有很高的存储要求，并且将该系统用作存档磁带的替代品，2006年存档磁带的市场规模为44亿美元，分析师DeVoss指出。在价格降下来之后，将会出现用于消费领域的全息存储产品，不过这至少还要等上6到7年，他补充道。

InPhase Technologies公司总裁兼CEO Nelson Diaz这样描述主流全息存储系统所面临的挑战："首先是价格，其次是价格，最后还是价格，挑战与性能的关系不大。作为价值体现，人们最关心的就是价格。"

与此相反，DeVoss指出，各公司在考虑采用全息存储系统时不能局限于容量或价格，而应该关注写入速度。全息系统写入速度可以达到132MBps，效率比蓝光或HD-DVD高出30到50倍，他表示。

AON系统的读写速度是1.3Gbips，Gladney补充到。

Gladney表示："虽然价格还未最终确定，但AON的系统在成本上极具竞争力，肯定能吸引人们转向新的供应商和新的技术。我们非常了解不同的竞争性技术，我们追求的是高端的超高密度存储系统。"

硬件不便宜

然而AON公司没有大公司的影响力，这的确是个问题，DeVoss表示。"小的新创企业有什么优势？他们如何突破那些大型数据存储公司的壁垒？"他指出，"开展硬件业务的成本非常高。你必须有强大的行销力量、分销渠道等所有东西。"

AON已经向JPL交付了一款全息照相存储系统的原型，该系统可以满足联邦政府资助的研发中心对高速、大容量、耐辐射存储器的要求，Gladney透露道。来自加州Pasadena的一位JPL发言人表示，那里的工程师不会回答有关该实验室对全息存储或AON原型的疑问。

Gladney把该系统的可升级能力看作是一种竞争优势。"在我们的技术路线图中，我们将向具有更高存储容量和更高事务处理能力的方向发展，这有别于RAM、闪存、或其它介质。"他指出。AONIS的原型将以在紧凑型2U机箱中提供的方式供货，而且更高级的版本正在研发中。"到2010年，我们将推出读写速度超过10Gbps、存储密度为10-12TB的器件。"Gladney透露，"当我们即将推出的产品能放进小型机箱时，那将是极具竞争力的技术革新。"