飞思卡尔推出适用TD-SCDMA无线网络的系列产品

在上周结束的年度盛会飞思卡尔技术论坛（FTF）上，无线网络成为行业讨论的热点话题，引来众多业内人士的瞩目。新一代的无线通信技术和产品，将改写我们新的数字生活方式，让世界更环保更安全，沟通更顺畅更便捷。

在无线架构功率晶体管领域，飞思卡尔以63%的份额占据市场领先地位。飞思卡尔提供最佳性价比的领先产品，长期保持系统成本的降低。射频功率晶体管是射频功率放大器的关键部件，应用在手机架构里用于传播手机信号到广泛区域。飞思卡尔的射频手机覆盖所有主要的频带，从700MHz到3500MHz。产品支持2G，3G和4G标准，包括GSM、CDMA、WCDMA、CDMA2000、TDSCDMA和LTE。

TD-SCDMA是在中国开发的第三代无线标准，时分同步码分多址存取（TD-SCDMA）无线网络已被广泛应用，而这些射频功率晶体管已经为基站使用的功率放大器进行了优化。这些先进的器件是专为TD-SCDMA 设计的飞思卡尔LDMOS 功率晶体管系列中的最新产品，而TD-SCDMA在业界被广泛部署。

基于时分双工和异步CDMA技术的TD-SCDMA具有多重优势，包括频谱使用更有效率，在上行/下行链路中支持非对称项目的能力，IP服务和向下一代标准（比如LTE）自然演进路程的适应力等等。

先进的LDMOS FET可提升基站放大器的性能并降低其成本及复杂性

飞思卡尔半导体公司新近推出两款LDMOS射频功率晶体管。MRF8P20160HSR3晶体管和MRF8P20100HSR3器件均采用飞思卡尔最新的高压第八代（HV8）LDMOS技术，它提供的性能水平位居业界最高行列。Doherty参考设计和世界范围的现场应用工程师的支持，极大地降低了客户进入市场的时间。两个器件都提供对宽带的固有支持，所以能够在专为TD-SCDMA的运行而分配的两个频带（1880-1920 MHz 及 2010-2025 MHz）上提供它们的额定性能，这让一个单独的器件能够为两个频带提供服务，消除了两频带之间组件不同的需求，简化了清单管理。

TD-SCDMA基站中的放大器均采用Doherty 架构，该架构包含两个放大器，它们共同提供所有的运行条件。这通常要求在载波以及功率放大器的末级功峰值路径中配置单独的RF功率晶体管。然而，飞思卡尔的LDMOS 晶体管均采用“双路径”设计，其中，Doherty末级放大器的实施所要求的两个放大器被集成在一个单独的封装内。这将把所需器件的数量减少一半。这些优势，加上高增益、高效率及低功耗，能够降低TD-SCDMA放大器的生产成本、减少所需的组件并降低放大器的复杂度。

飞思卡尔提供完整的工具和服务组件

l         晶体管模型

l         预负载拉移容量（复杂信号，谐波调谐）

l         Doherty示范器

l         热能分析

l         晶体管

l         客户特制优化和个性化

l         统计分析

l         世界范围的项目应用网络

两款器件的工作电压均为26-32V，能在32V直流电源下处理的电压驻波比为10:1，它们在设计上是为了与数字预失真误差校正电路一起使用。它们带有内部预匹配，采用空腔陶瓷封装，可以提供胶带和卷轴式包装。这些器件还包含静电保护措施，防止在装配线上遇到静电释放影响。静电释放保护也使门电压在-6V和+10V 之间宽幅波动，从而提高了高效模式（如C级模式）下运行的性能。

这些先进的器件已成为飞思卡尔现有的LDMOS射频功率放大器阵营中的成员，用于支持TD-SCDMA的运行，其中包括MRF7P20040H LDMOS FET和MD7IC2050N多级集成功率放大器集成电路，每个器件均可在两个TD-SCDMA频带上提供10W的平均功率。

无线覆盖解决方案提供商三元达通讯采用MRF6VP3450H器件

三元达采用飞思卡尔RF Power 50V LDMOS晶体管推出全球第一款高效Doherty DTV发射器低碳、低功耗，支持中国环保规范要求。三元达在这一里程碑产品中结合了该公司的高效率技术Doherty与飞思卡尔的性能领先的RF功率横向扩散MOS（LDMOS）晶体管，后者适用于广泛的应用。

此产品为全球第一款商用的先进高效率Doherty技术，由三元达研发实验室自主研发，通过采用自有平台将能够缩短产品周期并与市场中的其他全球OEM展开有效的竞争。

通过采用飞思卡尔的MRF6VP3450H器件，这