飞思卡尔推出业内首款50 V 射频LDMOS 功率管

飞思卡尔半导体近日推出一款RF LDMOS功率管，工作频率为1.8至600MHz ，最适于在CO2激光器、等离子体发生器和磁共振成像（MRI）扫描仪等应用中所遇到的具有潜在破坏性的阻抗失配条件下使用。新MRFE6VP6300H FET是世界首款50V LDMOS晶体管，在电压驻波比（VSWR）为65:1的负载中提供300W CW的全额定输出功率。

　　当射频功率管生成的最大功率到达天线时，所有固态射频功率放大器的运行最有效。在理想条件下，这会产生1:1的VSWR，生成的全部额定功率都通过传输线到达负载，没有任何额定功率反射回放大器。大部分应用的VSWR水平很少超过2.5:1，而大部分RF功率管无论其采取什么技术，都可以处理5:1或10:1的VSWR。

　　但是，RF功率放大器用来点燃CO₂激光器和离子发生器或在MRI系统里生成电磁场，都会短暂出现生成的额定功率几乎全部被反射回放大器的情况。这些异常情况给大部分RF功率管带来了难题。

　　飞思卡尔新推出的MRFE6VP6300H产品主要针对这类应用，能够将300W满CW输出功率生成高达65:1的VSWR。它是这个性能级别里唯一商用的50V LDMOS晶体管产品。

　　飞思卡尔副总裁兼RF部门总经理Gavin Woods表示，“这一重要技术成果又一次显示了飞思卡尔在RF功率市场始终保持行业第一的记录。有了这款新晶体管，CO₂激光器、等离子体发生器、磁共振成像扫描仪和其他工业设备的制造商可以获得前所未有的稳定性和射频功率性能。”

　　MRFE6VP6300H可用于推拉式或单端配置，并放置在紧凑型NI780-4陶瓷封装中。频率为130MHz时，该设备生成300W的CW输出功率，增益为25dB，效率达80%。该MRFE6VP6300H还包含创新的静电放电（ESD）保护技术，这不仅使它成为第三类功率器件，还支持大的栅源电压范围（-6V至+10V），因而在高效模式（如C类）下运行时能提高性能。

　　MRFE6VP6300H可用于推拉式或单端配置，并放置在紧凑型NI780-4陶瓷封装中。频率为130MHz时，该设备生成300W的CW输出功率，增益为25dB，效率达80%。该MRFE6VP6300H还包含创新的静电放电（ESD）保护技术，这不仅使它成为第三类功率器件，还支持大的栅源电压范围（-6V至+10V），因而在高效模式（如C类）下运行时能提高性能。